UnitedSiC 是家怎样的公司？

罗格斯(Rutgers)大学的一小群研究人员创立了 UnitedSiC。那时碳化硅 (SiC) 技术还处于起步阶段，团队也只能在研究实验室用指甲盖（thumbnail）大小的 SiC 来制备器件 。在随后的发展中，团队开发了许多 Sic 基础工艺技术，并随后在公司以及合作的代加工厂中应用。

一群相信宽带隙材料，特别是 SiC 前景的成功企业家收购了该公司。即使在那时，整个 SiC 市场相对较小，但根据基于 SiC 的设备的预期市场，它提供了一个极好的投资机会。此外，更大规模的制造技术有可能降低与 SiC 解决方案相关的较高成本。

UnitedSiC 在新泽西州普林斯顿附近建立了一个试验性净化操作实验室，以加强 SiC 工艺，使其达到可以直接在代加工厂生产使用的阶段。之后，UnitedSiC 便成为一家无晶圆厂公司，将资源集中在产品设计、研发和客户支持上，在行业发展趋势的带领下，公司快速、有效地稳步发展。

UnitedSiC 的工艺成功被 一家代工厂使用, 使用当时可用的最大衬底 (4 英寸)。基于 UnitedSiC 核心的 JFET 技术，公司与晶圆代工厂一起打造出了高度差异化、低功耗且低成本的开关解决方案。在与设计相当的 Si MOSFET 结合后，与最接近的竞争对手相比，UnitedSiC 能够制造出 die 尺寸仅为后者 1/2 的 1200 V 器件， 在制造 650 V 器件的时候，die 尺寸甚至还小于 1/3 。这不仅显著提高了设备性能，帮助客户实现了新的终端系统性能水平，而且还有助于推动公司盈利。正是得益于这项技术，UnitedSiC 进入了这个价值 10 亿美元的超级结（Superjunction）市场。

UnitedSiC 开始在本土 6 英寸代工厂布置其领先的 SiC 工艺，并于 2017 年出货符合 AEC-Q101 标准的产品。展望未来，强大的代工合作伙伴关系使 UnitedSiC 获取大批量硅晶圆厂中对 SiC 工艺的支持，也使其显著扩大规模。

UnitedSiC 产品组合快速扩展，公司现在提供全范围电压的产品，包括行业最佳的 7mohms RDS(on) 产品，公司同时还能提供 D2PAK、TO-220 和 TO-247 的封装支持，给客户更多的选择。在 2020 年，UnitedSiC 还引入了公司的第 4 代 SiC 技术，从而能够在 750V 下引入新的 FET，加速公司宽禁带产品在汽车和工业充电、电信整流器、数据中心 PFC DC-DC 转换以及可再生能源和储能等领域的应用。

UnitedSiC 推出了其首款 SiC FET 器件选择工具——FET-Jet 计算器。该在线工具可帮助电源设计人员评估各种电路拓扑中的 UnitedSiC 器件，专注于最领先的解决方案，让开发人员能够快速、自信地做出设计决策。此外，UnitedSiC 还推出了 9 款新的 750V 第 4 代器件，当中包括业界最低的 RDS(on) SiC FET（额定值为 6mohm），这个数字是行业同类产品的一半。

2021 年 11 月 3 日，Qorvo 宣布收购 UnitedSiC，其中 UnitedSiC 将成为 Qorvo 的基础设施和国防产品（IDP）产品业务的一部分。UnitedSiC 的技术与 Qorvo 的互补的可编程电源管理产品和世界一流的供应链的能力，将使 UnitedSiC 能够在最先进的应用中提供卓越的电源效率水平。