编者按：在上周，Qorvo 宣布收购了 UnitedSiC。Qorvo IDP 总裁 Philip Chesley 表示："UnitedSiC 加入我们的 IDP 业务，大大扩展了我们在高功率应用方面的市场机会。这次收购使 Qorvo 能够提供高价值、同类最佳的智能电源解决方案，涵盖电源转换、运动控制和电路保护应用等等。”
被寄予厚望的 UnitedSiC 究竟是家怎样的公司？让我们来看一下。
罗格斯(Rutgers)大学的一小群研究人员创立了 UnitedSiC。那时碳化硅 (SiC) 技术还处于起步阶段，团队也只能在研究实验室用指甲盖（thumbnail）大小的 SiC 来制备器件 。在随后的发展中，团队开发了许多 Sic 基础工艺技术，并随后在公司以及合作的代加工厂中应用。
一群相信宽带隙材料，特别是 SiC 前景的成功企业家收购了该公司。即使在那时，整个 SiC 市场相对较小，但根据基于 SiC 的设备的预期市场，它提供了一个极好的投资机会。此外，更大规模的制造技术有可能降低与 SiC 解决方案相关的较高成本。
UnitedSiC 在新泽西州普林斯顿附近建立了一个试验性净化操作实验室，以加强 SiC 工艺，使其达到可以直接在代加工厂生产使用的阶段。之后，UnitedSiC 便成为一家无晶圆厂公司，将资源集中在产品设计、研发和客户支持上，在行业发展趋势的带领下，公司快速、有效地稳步发展。
UnitedSiC 的工艺成功被 一家代工厂使用, 使用当时可用的最大衬底 (4 英寸)。基于 UnitedSiC 核心的 JFET 技术，公司与晶圆代工厂一起打造出了高度差异化、低功耗且低成本的开关解决方案。在与设计相当的 Si MOSFET 结合后，与最接近的竞争对手相比，UnitedSiC 能够制造出 die 尺寸仅为后者 1/2 的 1200 V 器件， 在制造 650 V 器件的时候，die 尺寸甚至还小于 1/3 。这不仅显著提高了设备性能，帮助客户实现了新的终端系统性能水平，而且还有助于推动公司盈利。正是得益于这项技术，UnitedSiC 进入了这个价值 10 亿美元的超级结（Superjunction）市场。
UnitedSiC 开始在本土 6 英寸代工厂布置其领先的 SiC 工艺，并于 2017 年出货符合 AEC-Q101 标准的产品。展望未来，强大的代工合作伙伴关系使 UnitedSiC 获取大批量硅晶圆厂中对 SiC 工艺的支持，也使其显著扩大规模。
UnitedSiC 产品组合快速扩展，公司现在提供全范围电压的产品，包括行业最佳的 7mohms RDS(on) 产品，公司同时还能提供 D2PAK、TO-220 和 TO-247 的封装支持，给客户更多的选择。在 2020 年，UnitedSiC 还引入了公司的第 4 代 SiC 技术，从而能够在 750V 下引入新的 FET，加速公司宽禁带产品在汽车和工业充电、电信整流器、数据中心 PFC DC-DC 转换以及可再生能源和储能等领域的应用。
UnitedSiC 推出了其首款 SiC FET 器件选择工具——FET-Jet 计算器。该在线工具可帮助电源设计人员评估各种电路拓扑中的 UnitedSiC 器件，专注于最领先的解决方案，让开发人员能够快速、自信地做出设计决策。此外，UnitedSiC 还推出了 9 款新的 750V 第 4 代器件，当中包括业界最低的 RDS(on) SiC FET（额定值为 6mohm），这个数字是行业同类产品的一半。
2021 年 11 月 3 日，Qorvo 宣布收购 UnitedSiC，其中 UnitedSiC 将成为 Qorvo 的基础设施和国防产品（IDP）产品业务的一部分。UnitedSiC 的技术与 Qorvo 的互补的可编程电源管理产品和世界一流的供应链的能力，将使 UnitedSiC 能够在最先进的应用中提供卓越的电源效率水平。
现在，世界各地的客户正在其新型电动汽车 (EV) 充电器、AC-DC 和 DC-DC 电源、固态断路器、变速电机驱动器和太阳能光伏逆变器中使用 UnitedSiC FET、JFET 和肖特基二极管器件。
有了这些 SiC 器件的支持，我们的客户能够实现卓越的终端产品性能，确保在其终端市场取得成功。
