前段时间，科友半导体年产10万片的碳化硅衬底项目已经封顶（.点这里.），最近，露笑科技和乾晶半导体2家企业的6英寸碳化硅衬底也有新的进展。
乾晶半导体：
6寸碳化硅开始验证
激光剥离技术节省20%损耗
11月3日，杭州乾晶半导体有限公司官网宣布，他们研发的6英寸碳化硅衬底晶片已经通过公司内部质检，首批样品已正式提供客户端进行工艺验证。加入碳化硅大佬群，请加VX：hangjiashuo666据了解，乾晶半导体与中国及日本公司达成战略合作意向，可为国内外客户提供4、6寸碳化硅晶棒及晶片。根据官网介绍，乾晶半导体成立于2020 年7月31日，是一家集碳化硅单晶生长、晶片加工和设备开发于一体的企业。其核心团队来自于浙江大学硅材料国家重点实验室，与浙大科创中心先进半导体研究院成立联合实验室共同承担 SiC材料的产业化任务。2020年12月，乾晶半导体自行研发了4英寸碳化硅单晶炉，2021年9月成功长出6英寸碳化硅单晶，并且实现了单晶生长到晶片加工全线跑通。除了长晶外，乾晶半导体的另一个技术特色是碳化硅晶片激光剥离技术。公告显示，他们已经实现了10*10实验样品Demo。据“孵化未来+”9月29日消息，乾晶半导体、杭州国际科创中心先进半导体研究院、西湖大学科研团队，利用超快激光成功实现了碳化硅晶片的剥离，取得了激光剥离晶体切片技术突破。众所周知，目前碳化硅衬底的加工成薄圆片主要采用传统的多线切割技术，但这种技术加工效率低、环境负担重、材料损耗大，加工过程的材料损耗率高达50%以上，导致晶片成本高，衬底昂贵，难以大规模应用。而激光剥离技术的核心是利用激光脉冲在晶锭内部预设深度形成碳化硅的非晶化破坏层，再借助外力作用，使晶片从非晶化层处分离，从而获得目标厚度的晶片。乾晶半导体表示，通过激光剥离技术，碳化硅衬底加工过程材料损耗低，晶圆表面缺陷层厚度小，总材料损耗率可降至20%左右，有望极大降低晶片成本。与多线切割相比，激光加工过程无废液产生，对环境也更加友好。据露笑科技公告，11月7日，合肥露笑半导体一期已完成主要设备的安装调试，进入正式投产阶段，该项目的建成投产可实现国内6英寸导电型碳化硅衬底片的突破。早在2020年8月10日，露笑科技就披露了《关于公司与合肥市长丰县签署建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园战略合作框架协议的公告》，该项目一期投资21亿元，达产后可形成年产24万片导电型碳化硅衬底片和5万片外延片的生产能力。据公告显示，该项目总投资100亿元，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地，且其衬底片已通过多家第三方单位的测试，已达到了P级标准。根据今年9月份公告，2021-2023年期间，露笑的碳化硅营收目标累计要达到5亿元，目前露笑已经启动了员工持股计划，为陈之战等5位碳化硅业务核心配备200万股股票，合计投入近2500万元（.点这里.）。
