大家好，我是记得诚。
最近逛论坛，看到一个帖子，如下：
电路图如下，是个低功耗电池电压采集方案，多次通电后，Q1无情的冒烟了。
VDD是低功耗外设电压，低功耗下VDD=0V，唤醒后VDD=3.3V。
电路的工作原理是这样的，低功耗下VDD=0V，Q2和Q1关闭；唤醒后VDD=3.3V，Q2和Q1导通，VBAT通过R1和R9分压，进行ADC检测。
Q1 PMOS用的型号为：AO3401，Q2 NMOS用的是：AO3400。ANDY-张：逻辑是对的，检查元器件封装和元器件属性。ifc315：VBAT端存在高压或者静电，Q1的G-S间被击穿了。
智能diy：感觉是Q2导通不完全，导致Q1也导通不完全，排除静电击穿，一般静电击穿不冒烟，感觉R8应该去除。bendn：会不会AO3401的G极没有串接电阻，下管对AO3401的控制信号直连的G极，如果下管打开特别快的话，因为AO3401的G、S之间存在寄生电容，就会形成这样一个瞬时的大电流通路，是不是就可能引起G极的绝缘层损伤，多次冲击过后就可能引起绝缘层击穿彻底短路，进而导致MOS管冒烟。而且因为米勒电容的存在，Q1在导通的过程中，还会出现这样一个电流通路，也就是Q1的D、S之间电流刚刚达到最大时，此时D、S之间电压还是6V没变，电流是从S极通过导电沟道流到D极，然后再经过G、D之间的寄生的这个米勒电容到达G极，最终通过Q2导通到地。我又仔细分析了一下，感觉更可能是Q2控制着Q1，使得Q1导通过快，MOS管的导通电流变化过快，进而在MOS管的寄生电感上面产生很大的感抗，形成振荡电路，最后出现高压击穿MOS，改进的措施还是在Q1的G极上面串接一个小电阻，或者在Q1的G极和S极接上一个小电容，使得MOS开启缓慢一些减弱振荡。
因为你这个电路没有高负载的地方，所以应该不是发热引起的损坏，更像是产生的高压损坏，高压损坏在你这个电路这里只能是振荡引起。
然后你这个Q1打开慢一些无所谓，交叉损耗很小，不像是电源的开关控制，那种的电流很大，打开太慢的话，开关交叉损耗就会很大，会出现热损坏。825cow：这个不应该烧MOS的，后面负载都是10K级的。ifc315：不知道都是怎么计算的，导通太快引起损坏都出来了；R7是10k，开关速度能快到哪里去哦。
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