尼康(Nikon) 近日宣布，目前正在开发下一代NSR-S636E ArF 浸入式光刻机，它将提供卓越的叠加精度和超高吞吐量，以支持最关键的半导体设备的制造。产品销售计划于2023 年开始。
随着数字化转型(DX) 的加速，迫切需要非常快速地处理和传达大量数据。为了满足这些要求，高性能半导体势在必行，半导体器件技术正在不断发展，同时关注电路图案的小型化和3D器件结构的开发。
NSR-S636E 具有增强型在线对准站(iAS)，它是集成在涂布机/显影器单元和光刻扫描仪之间的芯片预测量模块。S636E和 iAS 利用复杂的多点对准测量和高级校正功能，使设备制造商能够实现3D 设备结构所需的严格叠加精度，同时最大限度地提高浸入式光刻机的生产力。NSR-S636E非常适合尖端半导体制造，包括逻辑和存储设备、CMOS图像传感器应用等。
关于NSR-S636E的更多参数还没有公布，但是从其上一代S635E宣称的已经可以生产5nm芯片来看，S636E应该至少是可以更加高效的生产5纳米芯片了，这个对于我国买不到ASML EUV光刻机来说，不失为一个很好的选择。
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