今日,三星官方宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14nm DRAM。
三星表示,继去年3月推出首款EUV DRAM后,又将EUV层数增加至5层,为DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。
根据最新DDR5标准,三星的14nm DRAM速度高达7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快两倍多。
三星指出,随着DRAM工艺不断缩小至10nm范围,EUV技术能够提升图案准确性,从而获得更高性能和更大产量,因此该项技术变得越来越重要。
据介绍,通过在14nmDRAM中应用5个EUV层,三星实现了自身最高的单位容量,同时,整体晶圆生产率提升了约20%,与前代DRAM工艺相比,14nm工艺可帮助降低近20%的功耗。
值得一提的是,三星还计划扩展其14nm DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机与企业服务器的应用。
同时,三星预计将14nm DRAM芯片容量提升至24GB,以搞好满足全球IT系统快速增长的数据需求。
他强调,如今,三星正在通过多层EUV建立起另一个技术的里程碑,该技术实现了14nm的极致化,这也是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的。
再看价格,尽管内存厂商一直否认内存价格会大幅下跌,但是整个市场的发展趋势确实要变了了,集邦科技预测2022年内存产业将从供不应求转向供过于求,价格比今年下滑多达20%,DIY玩家终于等到这一天了。
集邦咨询今天发表了内存产业发展报告,称随着后续买方对DRAM的采购动能收敛,加上现货价格领跌所带动,第四季合约价反转机会大,预估将下跌3-8%,结束仅三个季度的上涨周期。
至于2022年的情况,三大DRAM原厂的扩厂规划其实仍显保守,预估明年的供给位元成长率约17.9%,然而由于目前买方库存水位已偏高,加上2022年需求位元成长率仅16.3%,低于供给端的成长速度,2022年DRAM产业将由供不应求将转至供过于求。
整体而言,2021年在采购端积极拉货的情况下,对于DRAM原厂是出货表现相当亮眼的一年;量增价涨使今年全年的DRAM产值有望突破900亿美元。
不过随着第四季DRAM价格的反转向下,延续至2022年上半年的跌幅仍有扩大可能,2022年全年的DRAM平均销售单价(ASP)恐较今年衰退约15-20%,而原厂的出货成长幅度预估也将落在相似区间,意即整体DRAM产业出货的成长将受到报价下滑所抵销,故2022年DRAM产值约略持平今年。
不过,由于2022年下半年的价格变化仍存变量,若有机会止跌翻扬,DRAM产值则可望再创佳绩。