三维高密度微组装技术

射频百花潭 2021-10-10 20:00

     随着手机等移动消费型电子产品对于功能集成、大存储空间、高可靠性及小型化等封装的要求程度越来越高,及宇航、卫星、计算机及通信等军事和民用领域对提高组装密度、减轻重量、减小体积、高性能和高可靠性等方面的迫切需求,加之3D-MCM在满足上述要求方面具有的独特优点,因此在芯片叠装以及MCM(多芯片组件)X、Y平面内的二维组装的基础上,沿Z方向堆叠的更高密度的三维封装技木近年来得到了迅速发展。

      三维多芯片组件(简称3D-MCM)是在二维多芯片组件(即2D-MCM,通常指的MCM均系二维)技术基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于: 3D-MCM是通过采用三维(X.Y,Z方向)结构形式对1C芯片进行立体结构的三维集成技术,而2D-MCM则是在二维(X,Y方向)对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进行高密度组装,是IC芯片的二维集成技术,三推多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重更方向,是微电子技术领域跨世纪的一项关继技术。因此北京先锋华创科技有限公司特邀请权威专家于2021年10月组织《三维高密度微组装技术研修班》现有关事项通知如下: 


一、主办单位

北京先锋华创科技有限公司 
北京先锋华创科技有限公司河南分公司 


二、时间

2021年10月28-30日 


三、地点

合 肥(上课地点会前一周发通知)


四、课程内容


第一章、三维高密度微组装的技术内涵及术语

 1.1三维高密度电子组装的技术内涵

1.1.1什么是三维高密度微组装技术?
1.1.2三维高密度微组装技术与芯片三维集成技术的关系
1.1.3三维高密度微组装技术与系统集成技术的关系

 1.2三维高密度微组装的相关技术名词术语

1.2.1SIP、SOP、SOC、WSI、WLP及其应用特点
1.2.2什么是TSV和HDI?

1.2.3 SIP(或SOP)与MCM-V的异同

第二章、三维高密度微组装技术的优点及驱动力

2.1三维高密度微组装技术的优点

2.2三维高密度微组装技术的驱动力

第三章、三维高密度微组装的技术路径和结构类型

3.1三维高密度微组装的技术路径

3.1.1 半导体芯片叠层组装(晶圆片及单芯片)
3.1.2  2D-MCM叠层组装
3.1.3  2D-MCM与叠装的单芯片混合组装

3.2三维高密度微组装的结构类型

3.2.1带封装芯片的叠装结构

3.2.2裸芯片叠装结构

3.2.3 2D-MCM叠装结构

3.2.4 晶圆片的叠装结构

3.2.5芯片埋置型叠装结构

第四章、三维高密度微组装技术在整机系统中的应用与实例

4.1世界著名公司的三维高密度微组装技术应用概况(一览表)

4.2三维高密度微组装技术在宇航、通信、雷达等领域的应用实例

4.2.1三维高密度微组装技术在宇航用计算机系统中的应用例
4.2.2三维高密度微组装技术在相控阵雷达T⁄R组件的应用例

4.2.3三维高密度微组装技术在通信领域中的应用例

第五章、2D-MCM高密度叠装工艺技术和案例解析

5.1 MCM-C叠装垂直互连

5.1.1陶瓷基板和隔离垫块的通孔形成及其填孔工艺
5.1.2隔离垫块焊料球及凸点垂直互连及其材料选择
5.1.3 LTCC(HTCC)基板凸点(焊料或Au)垂直互连工艺

5.2 MCM-D(含MCM-Si)三维叠装工艺技术

5.2.1薄膜基板(Al2O3、AlN或金刚石)和硅基板通孔形成及其填充工艺
5.2.2硅基板材料选择及其表面处理
5.2.3凸点的形成及FCB工艺
5.2.4基板边缘三维垂直互连工艺
5.2.5 MCM-Si叠装中丝键合互连
  5.2.5.1丝键合工艺参数的控制
  5.2.5.2如何防止键合脱键和弹坑现象
  5.2.5.3键合中的Au-Al金属间化合物对可靠性的影响
5.2.6陶瓷载体通孔三维垂直互连工艺
5.2.7芯片埋置型三维叠装工艺
  5.2.7.1硅基芯片埋置叠装工艺流程
  5.2.7.2硅基薄膜多层布线工艺

  5.2.7.3芯片埋置腔体的刻蚀及芯片减薄

第六章、半导体单芯片及晶圆片的三维高密度叠装工艺及案例

6.1半导体单芯片三维叠装的丝键合垂直互连工艺

6.1.1半导体单芯片叠层组装的丝键合主要要求
6.1.2 细间距Au丝球焊在芯片叠层组装的应用
6.1.3 采用丝键合及凸点混合工艺的芯片叠层组装
6.1.4微波产品对键合工艺的要求

6.2 半导体单芯片三维叠装的TAB载带垂直互连

6.2.1什么是TAB载带
6.2.2 TAB的工艺流程及材料
6.2.3 TAB的关键工艺——凸点制作
6.2.4 TAB的内、外引线焊接及返工
6.3.硅通孔(TSV)及微凸点垂直互连工艺
6.3.1高深宽比通孔的形成及减薄工艺
  6.3.1.1反应离子深刻蚀法(DRIE)
  6.3.1.2激光刻蚀法
  6.3.1.3晶圆片减薄工艺
6.3.2通孔侧壁淀积介质(SiO2或Si3N4)和粘附层/阻挡层
  6.3.2.1通孔侧壁淀积介质的目的
  6.3.2.2侧壁淀积介质的材料和工艺方法
  6.3.2.3淀积粘附层/阻挡层目的、材料及工艺方法
6.3.3淀积Cu种子层
  6.3.3.1淀积Cu种子层的目的
  6.3.3.2淀积Cu种子层的工艺方法(TSV盲孔电镀和通孔电镀)
6.3.4微凸点制作
  6.3.4.1 Cu凸点工艺
  6.3.4.2 共晶微凸点工艺
6.3.5叠层芯片之间的键合(粘附)
  6.3.5.1 SiO2直接键合
  6.3.5.2金属键合工艺

第七章、三维高密度微组装技术的发展前景、趋势及面临的问题

7.1三维高密度微组装技术的发展阶段
7.2三维高密度微组装技术应用领域的发展趋势
7.3三维高密度微组装技术面临的问题
    7.3.1技术问题
       7.3.1.1制造工艺
       7.3.1.2热设计和热管理
       7.3.1.3模型建立和设计规则
   7.3.2可靠性问题(可靠性设计及可靠性保证和可靠性检测试验)
       7.3.3成本问题(成品率、工艺流程、批量化生产)


五、主讲专家

张老师:研究员、博士生导师、国务院特殊津贴专家;

从事军用混合集成电路研制工作五十余年,荣获电子部“有突出贡献专家”称号,曾任总装备部军用元器件专家组成员,微组装专业组组长,全国混合集成电路专业委员会主任委员,IEEE高级会员,历任中国电子科技集团公司第43研究所总工程师,主管科研生产技术副所长。负责的混合集成电路技术多个项目荣获部科技进步奖,其中包括研制了全国第一块混合多芯片组件及多层复合薄膜电路等,为国家多项国防重点工程作出过重要贡献。近年来给3家单位组建微组装线并通过总装验收。主编出版了多本有关混合微电子技术的专著,在国内外专业学术会议和期刊上发表几十篇论文。



六、收费标准

3800/每人;3人以上或有VIP卡享9.5折优惠,5人以上享9折优惠。学生凭证享88折优惠。(含资料、午餐、200抵用券、课时费及免费课后技术支持费);食宿自理。


七、发票

发票由北京先锋华创科技有限公司和河南分公司协调开具增值税普通发票或专用发票。


八、联系方式

本课程为企业提供内部培训 ,详情请电话或微信咨询

会议咨询:李静13264154823(微信)

邮   件:lijing212703@126.com

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