1、影响双极型晶体管电流放大倍数β的主要因素？提高双极型晶体管β的工艺途径？
答：
①晶体管发射区与基区的杂质浓度比；②晶体管基区宽度；③基区少子扩散长度；④表面复合速率。
工艺途径：
①减小基区宽度，因为β与基取宽度成反比。
②减小Rse/Rsb值，即发射区与基区掺杂浓度的比值要尽量大，这样可提高发射极的注入效率。
③减少复合，即要求载流子寿命大。可通过低温扩散、表面钝化等工艺来实现。
2、分析N沟增强型MOS场效应晶体管导通过程？并绘制出不同栅源、漏源电压下沟道变化示意图。
3、如图所示电路，这个电路执行什么逻辑功能？
与非
4、MOS场效应晶体管的二阶效应包括哪些？
答：短沟道效应；窄沟道效应；饱和区沟道长度调制效应；迁移率退化和速度饱和；热电子效应。
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****半导体器件仿真设计课程开课通知****
课程名称 | 半导体器件与仿真设计 |
课程特点 | （1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系； （2）可选择课程内容中的任一章进行讲解； （3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起来讲解； （4）针对电参数指标要求，采用TCAD进行半导体器件结构设计，给仿真语句 （5）可选择一对一在线直播讲解的形式，也可以采用先购买录制课程，遇到疑问再答疑的形式； （6）对于课程参与人员的信息保密。 |
题目、内容简介及学时、课时费 | 第一章 半导体器件物理与工艺（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解仿真语句和模型，主要讲解半导体器件（diode、BJT、MOS、IGBT）仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 |
参考材料 | 实例及手册 |
授课方法 | 直播+讲解+答疑 |
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