1、n阱CMOS的工艺流程？并画出关键工艺对应的器件剖面结构？
n阱CMOS的制作工艺流程：①准备硅片材料；②形成n阱；③场区隔离；④形成多晶硅栅；⑤源漏区n+/p+注入；⑥形成接触孔；⑦形成金属互连；⑧形成钝化层。
剖面图：略
2、清洗器皿步骤？
答：①先用去污粉涮洗，并用自来水冲净。②对于耐酸塑料器皿可用洗液浸泡数小时；有机玻璃可用稀盐酸或氢氧化钠溶液清洗，再用去离子水把残留的酸碱冲净。③最后用去离子水冲洗多次或者用去离子水煮沸多次，然后烘干或用纯净干燥氮气 。
应注意的是，对于有机玻璃器皿，所用的热去离子水的温度和烘干温度不宜过高，免得器皿变形。另外，由于洗液具有很强的氧化性会破坏有机玻璃，因而切勿用洗液等处理有机器皿。
3、场区氧化的作用是什么？采用LOCOS工艺有什么缺点？更好的隔离方法是什么？
场区氧化的作用：隔离MOS晶体管。
LOCOS工艺的缺点：会形成鸟嘴，使有源区面积比版图设计的小。
更好的隔离方法：浅槽隔离技术。
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****半导体器件仿真设计课程开课通知****
课程名称 | 半导体器件与仿真设计 |
课程特点 | （1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系； （2）可选择课程内容中的任一章进行讲解； （3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起来讲解； （4）针对电参数指标要求，采用TCAD进行半导体器件结构设计，给仿真语句 （5）可选择一对一在线直播讲解的形式，也可以采用先购买录制课程，遇到疑问再答疑的形式； （6）对于课程参与人员的信息保密。 |
题目、内容简介及学时、课时费 | 第一章 半导体器件物理与工艺（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解仿真语句和模型，主要讲解半导体器件（diode、BJT、MOS、IGBT）仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 |
参考材料 | 实例及手册 |
授课方法 | 直播+讲解+答疑 |
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