本文由半导体产业纵横综合自CGT中国长城和海力士新闻刊
>>>> 100nm提升至50nm
中国长城旗下郑州轨道交通信息技术研究院联合河南通用智能装备有限公司，仅用了一年时间，便完成了半导体激光隐形晶圆切割设备的技术迭代，分辨率由100nm提升至50nm，达到行业内最高精度，实现了晶圆背切加工的功能。与此同时，持续优化工艺，在原有切割硅材料的技术基础上，实现了加工CIS、RFID、碳化硅、氮化镓等材料的技术突破，对进一步提高我国智能装备制造能力具有里程碑式的意义。
半导体产业被称为国家工业的明珠,晶圆切割则是半导体封测工艺中不可或缺的关键工序，是半导体产业的“心脏”。经过“电路制作”后的每一片晶圆上都聚集着数千，数万，甚至十万的"独立功能晶粒”，晶圆分割工艺的好坏直接决定半导体工艺连锁的“生产效率”和”竞争力”的优劣。
2020年5月，中国长城旗下郑州轨道交通信息技术研究院联合河南通用智能装备有限公司，成功研制出填补国内空白的半导体激光隐形晶圆切割机，实质突破了我国半导体激光隐形切割技术。研发成功后，郑州轨交院组织了行业重点客户进行半导体激光隐形晶圆切割机设备试用，客户认为相比同类产品该设备具有切割效率、良品率高等明显优势，能够出色地满足不同材质切割的工艺要求。
2020年6月17日，河南郑州传来消息：由中国长城郑州轨交院研发的国内首台半导体激光隐形晶圆切割机自面世以来，获得市场强烈关注，目前已接到行业客户意向订单60台，预计今年能实现营业收入2亿多元。
分辨率100nm由提升至50nm，是一次迭代升级。
中国长城副总裁、郑州轨交院院长刘振宇介绍到，迭代升级后的激光晶圆隐形切割设备可自由控制激光聚焦点的深度、可自由控制聚焦点的长度、可自由控制两个焦点之间的水平间隔，通过采用特殊材料、特殊结构设计、特殊运动平台，可在500mm/S的高速运动之下，保持高稳定性、高精度切割，激光焦点仅为0.5um，切割痕迹更细腻，可以避免对材料表面造成损伤，大幅提升芯片生产制造的质量、效率、效益。
据介绍，该装备可广泛应用于高能集成电路产品，包括CPU制造、图像处理IC、汽车电子、传感器、新世代内存的制造，对解决我国半导体领域内高端智能装备“卡脖子”问题起到显著作用。
>>>> 什么是激光切割隐形技术？
传统激光切割（grooving）&激光隐形切割（SD）方法的比较（图源海力士新闻刊）
晶圆级晶片尺寸封装（WLCSP，Wafer Level Chip Scale Package）工艺主要采用激光切割法。采用激光切割可以减少剥落和裂纹等现象，从而获得更优质的芯片，但晶圆厚度为100μm以上时，生产率将大打折扣。所以，多用在厚度不到100μm（相对较薄）的晶圆上。激光切割是通过在晶圆的划片槽上施加高能量的激光来切割硅。但使用传统的激光(Conventional Laser)切割法，要在晶圆表面上事先涂层保护膜。因为，在晶圆表面加热或照射激光等，这些物理上的接触会晶圆表面会产生凹槽，而且切割的硅碎片也会粘附在表面上。可见，传统的激光切割法也是直接切割晶圆表面，在这一点上，它与“刀片”切割法有相似之处。
激光隐形切割（SD, Stealth Dicing）则是先用激光能量切割晶圆的内部，再向贴附在背面的胶带施加外部压力，使其断裂，从而分离芯片的方法。当向背面的胶带施加压力时，由于胶带的拉伸，晶圆将被瞬间向上隆起，从而使芯片分离。相对传统的激光切割法SD的优点为：一是没有硅的碎屑；二是切口（Kerf：划片槽的宽度）窄，所以可以获得更多的芯片。此外，使用SD方法剥落和裂纹现象也将大大减少，这至关定切割的整体质量。因此，SD方法非常有望成为未来最受青睐的一项技术。
>>>> 中国长城
中国长城曾研发出我国第一台具有自主知识产权的中文微型电脑、第一块电脑硬盘、第一款终端ASIC芯片、第一台显示器、第一台光纤转换器、第一台光笔图形显示终端等，是我国电脑、电源、高新电子、金融信息化、医疗信息化等领域系列国家和行业标准的起草单位之一。
秉持着“成为国产计算硬件产品安全、先进、绿色产业的引领者”的愿景，中国长城时刻不忘、始终牢记“将核心技术掌握在自己手里”的初心使命，坚定扛起网信产业国家队、主力军、排头兵的职责，以国家需求为牵引，持续聚焦国产计算硬件、高新电子两大主业，成功突破高端通用芯片（CPU）、固件等关键核心技术，构建起完整的“芯-端-云-控-网-安”产品产业生态链，做到了从芯片、整机、服务器、PLC、网络交换机、路由器到应用系统等计算机技术的完全自主，且产品线完整。
*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。
