1、CMOS 逻辑电路中，NMOS 管是增强型。
2、MOS晶体管的导电因子K由三方面因素决定：沟道载流子迁移率、单位面积栅氧化层和晶体管宽长比W/L。
3、杂质扩散中主扩散的作用为：调节表面浓度和控制结深 。
4、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用氢氟酸水溶液。
5、扩散结深表达式可统一写成：A(Dt)^1/2。
6、在LPCVD中，若质量转移系数远大于表面反应速率常数，则淀积过程主要是由表面反应控制。
7、 NMOSFET可以分为增强型NMOS，耗尽型NMOS。
8、影响MOSFET阈值电压的因素有：栅极衬底功函数差，栅氧化层的质量和厚度以及衬底掺杂浓度。
9、在CMOS反相器中，Vin作为PMOS和NMOS的输入信号。
10、 CMOS逻辑电路的功耗可以分为动态功耗和静态功耗。
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****半导体器件仿真设计课程开课通知****
课程名称 | 半导体器件与仿真设计 |
课程特点 | （1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系； （2）可选择课程内容中的任一章进行讲解； （3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起来讲解； （4）针对电参数指标要求，采用TCAD进行半导体器件结构设计，给仿真语句 （5）可选择一对一在线直播讲解的形式，也可以采用先购买录制课程，遇到疑问再答疑的形式； （6）对于课程参与人员的信息保密。 |
题目、内容简介及学时、课时费 | 第一章 半导体器件物理与工艺（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解仿真语句和模型，主要讲解半导体器件（diode、BJT、MOS、IGBT）仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 |
参考材料 | 实例及手册 |
授课方法 | 直播+讲解+答疑 |
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