热点关注芯股要闻、持续跟进财报相关。
编辑 | 美股研究社
前言：聚焦半导体赛道，从芯片设计、晶圆制造到封装测试，以及包括了物联网、智能汽车、5G、人工智能和移动终端的尖端科技，牛股辈出，黄金赛道。热点关注芯股要闻、持续跟进财报相关。
截至美东时间9月24日收盘，费城半导体指数微幅下跌0.1%，报3453.92点。个股方面普遍涨跌幅较小，联电、德州仪器收涨超1%；克里科技收跌2.3%；英伟达收跌1.8%；阿斯麦收跌1.3%。
今日重点关注
SOXX宣布季度派息为1.1567美元
由于DRAM疲软，多头削减美光(MU)目标
马斯克将全球芯片短缺升级为只是一个"短期"问题
英特尔(INTC)宣布亚利桑那州两座新的芯片工厂破土动工
英特尔(INTC)预计2024年首发20A埃米工艺
据DigiTimes报道，AMD与联发科正在谈判组建合资公司
【SOXX宣布季度派息为1.1567美元】
iShares PHLX Semiconductor ETF (SOXX)宣布季度派息1.1567 美元。截至8月31日，30 天SEC收益率为0.63%。
9月30日派息；9月27日登记；9月24日除权。
【由于DRAM疲软，多头削减美光(MU)目标】
在即将到来的收益之前，美光(MU)已经吸收了一对目标价格的削减，因为分析师们衡量了芯片市场的一些价格疲软。
摩根大通认为，进入新的季度，由于短期内的一些供应链问题，以及明年上半年的季节性疲软，会出现一些DRAM "疲软"。
该公司说："鉴于最近内存股的表现不佳，我们认为市场现在完全折现了当前的定价正常化，但很快就会开始积极实现2022年中期到下半年的定价环境改善。该公司保持增持评级，并预计结果将与公司的指导意见一致（以及对前景的"保守"基调），但将其目标价格从140美元降至100美元。这意味着目前有35%的上升空间。
KeyBanc也将其目标价从120美元下调至110美元，意味着有48%的上升空间（也保持增持）。
美光在周二收盘后发布盈利报告，电话会议定于当天下午4点30分举行。一致预期是每股收益为2.34美元，收入为82.1亿美元。随着收益的增加，投资者需要关注供应商Silicon Motion(SIMO)，该公司24%的收入来自美光。
【马斯克将全球芯片短缺升级为只是一个"短期"问题】
特斯拉首席执行官Elon Musk认为，随着供应链的正常化，半导体的短缺问题将在明年结束。
他在科技活动发言：“有很多芯片制造厂正在建设中，我认为到明年我们会有良好的产能。”马斯克过去曾称芯片问题是一个"巨大的问题"，尽管特斯拉被认为比许多底特律和东京的大公司状况更好。
马斯克的观点比一些行业观察家的观点要乐观一些，他们预计短缺将持续到2023年。芯片巨头英特尔(INTC)和台积电(TSM)都计划于明年在美国建立新工厂，但在那之后的几年内都不会投产。全球芯片短缺影响了绿色浪潮的投资论点。
【英特尔(INTC)宣布亚利桑那州两座新的芯片工厂破土动工】
英特尔宣布其位于亚利桑那州钱德勒市奥科蒂略园区的两座新的"尖端芯片工厂"今天破土动工。
英特尔首席执行官Pat Gelsinger说：“今天的庆祝活动标志着一个重要的里程碑，因为我们正在努力提高产能并满足对半导体的难以置信的需求：半导体是一切数字化的基础技术。我们正在迎来一个创新的新时代——为英特尔、为亚利桑那州和为全世界。”
“这次200亿美元的扩张将使我们在亚利桑那州的投资总额自40多年前开业以来达到500亿美元以上。作为美国唯一的尖端芯片制造商，我们致力于在这一长期投资的基础上，帮助美国重新获得半导体的领先地位。”
【英特尔(INTC)预计2024年首发20A埃米工艺】
美国亚利桑那州是Intel晶圆生产的重镇，算上这次的投资，Intel公司40多年来已经在该地区投资了500亿美元，CEO基辛格表示这次的投资代表着Intel致力于在该领域长期投资，帮助美国半导体重回前沿地位。
3月份Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的IDM 2.0战略，其中主要内容就是投资200亿美元在美国建设2座新的晶圆厂。9月24日，基辛格驾驶挖掘机正式给新项目奠基，2024年这些工厂要首发量产20A埃米工艺。
该投资计划预计将创造3000多个高技术、高薪酬的长期工作岗位，以及3000多个建筑就业岗位和大约15000个当地长期工作岗位。
Intel公布了这里两座晶圆厂的细节，分别会命名为Fab 52、Fab 62，并首次透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺——这与之前预期的不同，原本以为会量产的是Intel 4这样的下两代工艺。
Intel 20A工艺是今年7月份才公布的，是Intel 10/7/4/3工艺之后的升级版，而且首次进入后纳米时代，直接用了埃米(A代表的是Ångstrom，1纳米等于10埃米)，技术细节美公布，但字面意义上看20A差不多就是2nm工艺的级别，符合3nm之后的摩尔定律升级规则。
20A工艺除了EUV光刻工艺之外，还会有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。
根据Intel所说，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。
PowerVia是Intel特有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
按照规划，20A工艺预计会在2024年量产，届时台积电的2nm工艺应该也会问世，Intel的工艺再次回到前沿水平。
【据DigiTimes报道，AMD与联发科正在谈判组建合资公司】
根据DigiTimes记者Monica Chen和Jessie Shen的报道，AMD和联发科被猜测正在谈判组建合资公司，致力于开发结合Wi-Fi、5G和高传输技术的SoC解决方案，用于笔记本应用。
