氮化镓（GaN）：电源行业中的颠覆者

氮化镓作为近年来电源行业最大的变化之一，氮化镓的出现，大幅减小了传统硅器件的开关损耗和驱动损耗。通过减小开关损耗，可以使电源运行在更高的开关频率下，并且降低器件开关时的功率损失，使电源可以达到非常高的转换效率和功率密度。

通过使用氮化镓器件取代硅器件，正成为广大电源厂商提高产品竞争力，并且符合日趋严格的高能效标准的必要条件。并且现在正处于全球低碳减排，新能源及5G产业升级阶段，对高效率，高功率密度电源的需求也与日俱增。

了解氮化镓，并由传统硅器件转向氮化镓器件，并解决在高开关频率下驱动氮化镓器件的难题，PI营销副总裁Doug Bailey在短片中为您解答，并为您介绍PowiGaN技术的优势。

相比传统的硅器件，氮化镓器件可有效降低导通电阻和输入输出电容造成的功率耗散，显著提高电源转换效率，并减少发热，大幅提高电源性能，并提高电源的开关频率。PI通过将氮化镓器件无缝集成到InnoSwitch系列离线反激式电源开关芯片中，从而解决了分立氮化镓的驱动难题。只需将设计中的硅开关管InnoSwitch器件替换为PowiGaN技术的InnoSwitch器件，即可享受到氮化镓性能优势。

PI的PowiGaN器件具有非常高的可靠性和耐用性，可无缝替代传统硅基InnoSwitch器件。不仅可以缩小USB PD充电器的体积，还可以应用到电视机、冰箱的电源中，提供无需散热且具有高效率的开关电源设计。

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