近日，据晋城新闻网报道，由晋城市光机电产业研究院引进的锑化物半导体项目目前已经进入试运行阶段，预计明年将达到1万支芯片的产能，将成为全国首条第四代半导体的生产线。
据了解，锑化物激光器芯片生产项目是晋城市光机电产业研究院引进中科院半导体研究所牛智川教授团队落地的首期项目，概算总投资8202.82万元。项目围绕锑化物半导体激光芯片核心技术，研制锑化物大功率激光芯片和单模激光芯片，将广泛应用于激光加工、医疗切割等不同领域。
晋城新闻网报道指出，目前，市国科半导体研究所研发团队就该项目已授权专利28项，在申请专利达100多项。
作为山西晋城市转型发展的样板工程，第四代半导体激光器综合性能将达到国内领先、国际先进水平，建成后，将进一步丰富拓展第四代半导体产业链条。
目前，公认的半导体代际技术所对应的材料体系已经明确：基于Ⅳ族硅Si、锗Ge元素的第一代半导体；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化镓、磷化铟的第二代半导体；基于Ⅲ-Ⅴ族氮化镓、Ⅳ族碳化硅的第三代半导体等。
锑化物半导体作为具有重大发展潜力的第四代半导体技术之一，在开发下一代的小体积、轻重量、低功耗、低成本器件，及其要求极为苛刻的应用方面具有不可替代的独特优势。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员、国家重点研发计划量子调控与量子信息项目负责人牛智川此前表示，锑化物半导体在开发下一代的小体积、轻重量、低功耗、低成本器件，及其要求极为苛刻的应用方面具有不可替代的独特优势。
此外，中国院研究报告亦指出发展锑化物半导体已成为我国第四代半导体核心技术发展的战略性方向之一。
