1、功率三极管关键工艺
（3.7×3.7）
电阻率：18-22Ω.cm
厚度：250~255μm
氧化→浓硼预扩散：T=1050℃，t=xxminN2→低温氧化→淡硼预扩散：T=950℃，t=xxminN2→低温氧化→硼再扩：T=1250℃，t=xxhO2→磷预扩：T=950℃，t=xxminN2→磷再扩：T=1180℃，t=xxminO2干+xxminO2+H2+xxminO2干+xxminN2→台面腐蚀→台面保护（钝化）→磷合金
2、功率三极管结构
由于不同的电参数指标对器件同一结构参数的要求往往是相互矛盾的。因此，在器件结构设计的过程中，需要折衷考虑。根据器件电学参数指标要求，器件结构为：①基于三重扩散技术，依据器件集-射击穿电压和饱和压降的要求，确定原始单晶硅片电阻率及集电区厚度；②依据不同基区注入水平情况下的直流增益和特征频率的要求，确定器件基区宽度、发射区掺杂浓度。利用TCAD半导体器件工艺仿真模块建立NPN硅大功率晶体管的二维结构，如图1所示。
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****半导体器件仿真设计课程开课通知****
课程名称 | 半导体器件与仿真设计 |
课程特点 | （1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系； （2）可选择课程内容中的任一章进行讲解； （3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起来讲解； （4）针对电参数指标要求，采用TCAD进行半导体器件结构设计，给仿真语句 （5）可选择一对一在线直播讲解的形式，也可以采用先购买录制课程，遇到疑问再答疑的形式； （6）对于课程参与人员的信息保密。 |
题目、内容简介及学时、课时费 | 第一章 半导体器件物理与工艺（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解仿真语句和模型，主要讲解半导体器件（diode、BJT、MOS、IGBT）仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 |
参考材料 | 实例及手册 |
授课方法 | 直播+讲解+答疑 |
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