依据电参数指标和实测的输出特性曲线，利用半导体器件仿真软件对水平沟道恒流二极管输出特性和结构参数进行研究。为了改善常规恒流二极管的恒流值（IH）、夹断电压（VP）、阻断电压（VR）、恒流值高低温变化率对沟道结构参数要求的矛盾关系，提出了一种新型的沟道区非均匀掺杂的恒流二极管器件结构（沟道顶部掺杂浓度较低，沟道底部掺杂浓度较高，纵向杂质分布呈高斯分布），并对新型结构的沟道结构参数进行了优化。
对于常规恒流二极管，虽然采用掺杂浓度较高且宽度较窄的沟道结构，有利于降低恒流二极管恒流值高低温变化率，但器件阻断电压很难满足指标要求。提出的新型非均匀掺杂沟道结构能够优化沟道内及沟道边缘电场分布，较低的沟道顶部掺杂浓度降低了沟道顶部峰值电场强度，显著增大了恒流二极管阻断电压。在较窄沟道条件下，较高的沟道底部掺杂浓度使得恒流值满足指标要求，并显著降低了恒流值高低温变化率。新型沟道非均匀掺杂恒流二极管结构可有效改善恒流值（IH）、夹断电压（VP）、阻断电压（VR）、恒流值高低温变化率对沟道结构参数要求的矛盾关系。
################################################
****半导体器件仿真设计课程开课通知****
课程名称 | 半导体器件与仿真设计 |
课程特点 | （1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系； （2）可选择课程内容中的任一章进行讲解； （3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起来讲解； （4）针对电参数指标要求，采用TCAD进行半导体器件结构设计，给仿真语句 （5）可选择一对一在线直播讲解的形式，也可以采用先购买录制课程，遇到疑问再答疑的形式； （6）对于课程参与人员的信息保密。 |
题目、内容简介及学时、课时费 | 第一章 半导体器件物理与工艺（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解仿真语句和模型，主要讲解半导体器件（diode、BJT、MOS、IGBT）仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 |
参考材料 | 实例及手册 |
授课方法 | 直播+讲解+答疑 |
报名方法 | 报名QQ群：半导体技术人直播课程，群二维码如下
报名群二维码长期有效。为便于统计，暂时没有上课计划的朋友不用入群。有任何疑问可与半导体技术人联系！！ |
######################
