本次推文，我们来仿真一下NMOS管的寄生电容，寄生电容一方面对MOS构成的电路的高频特性有显著影响，另一方面在要求不高时，这些寄生电容也可直接当电容元件使用，除了源极和漏极之间（因为沟道的导电性会严重削弱其电容特性），MOS管其他任何两极之间均存在寄生电容。如下图所示：
在不同的电路应用中，对寄生电容的要求是不同的：电路设计在需要精度不太高的电容时，可以直接使用MOS管寄生电容来实现；而有时候希望尽可能避免出现寄生电容，从而提高电路工作速度与带宽，以及避免由此产生的电路稳定性、频率特性变差的问题。这需要我们对MOS管的寄生电容有所认识。
下图所示为MOS管实际结构剖面图。
基于该基本结构，我们发现有如下几类电容：
1）栅极和沟道之间的氧化层电容，也被称为MOS管的栅电容，与栅极的面积以及氧化层的介电常数有关，在上图中如C1所示，其值定义为C1=Cox*WL,
其中Cox为单位面积的栅极氧化层电容
2）衬底和沟道之间的耗尽层电容，与沟道尺寸有关，如上图中C2所示，其值为C2 =Cd*WL,其中Cd为单位面积的耗尽层电容值。
3）现在的CMOS工艺都采用了一种被称为“自对准”的技术，从而使得源极和漏极会扩散“深入”到栅极下方一些，深入的尺寸与工艺有关。这带来了另外一类电容，即多晶硅栅极与源极和漏极的交叠而产生的交叠电容。该电容也是一种平板电容，由于沟道长度方向的交叠尺寸在 某个特定工艺下是固疋值，因此该电容仅仅需要关注MOS管宽度W，定义为C3 = C4 = Cov*W,
式中，W为MOS管的宽度；Cov为单位宽度的交叠电容值。
4）源/漏区与衬底之间的PN结电容C5和C6 ，这两个电容与有源区的面积成正比。
当MOS管工作在不同区域时，其导电沟道及水平方向、垂直方向上的电场分布是不同的， MOS管的栅极对Cgs和Cgd的影响贡献也有所不同。下图表示了MOS管工作在三个不同区域下的电容值示意，不同的Vds也会影响Cgs和Cgd，见后续的视频仿真讲解。
MOS用作电容使用时，通常是将漏极和源极短接作为一端，栅极作为另外一端。随着两端电压的变化， MOS管沟道特性出现变化，对外表现出的电容值也出现变化，即电容具有一定的电压系数。在某些不要求精确电容值的应用场合，还是可以使用MOS器件电容。
下图是扫描Vds、Vgs时的Cgs和Cgd仿真曲线，符合理论预期：
注意：
在spectre仿真时显示的Cgs和Cgd均为负数，这是怎么回事？当然上图我们已经求过反后再显示的：(- pv("M0" "cgs" ?result "dcOpInfo"))
在spectre里，Cij的定义为dQi/dVj，其意思是j端电压的变化引起i端电量的变化情况，例如：Cgs=dQg/dVs，即源端电压的变化引起栅端电量的变化情况，Cgg=dQg/dVg，栅端电压的变化引起栅端电量的变化。
假设源端电压增加dVs>0，即源端有正电荷积累，那么在栅端感应出来的电荷就为负的，即dQg<0，所以Cgs=dQg/dVs<0，Cgs求出来会是负数，只有Cgg,Css,Cdd等为正数，其它的都为负数，这是数学计算的原因，我们只要看它们的绝对值即可。
这同样解释为什么Cgs与Csg求出来会有轻微的差异，因为在源端变化电压引起栅端电荷的变化量，与在栅端变化相同电压变化引起源端电荷变化量是不完全相同的。下图是Cgs和Csg仿真：
视频讲解1：
视频讲解2：
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