上海将建GaN单晶项目；4寸衬底将批量生产？

原创第三代半导体风向 2021-08-09 18:31 1589浏览 0评论 0点赞

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今天，据上海媒体报道，当地将建4英寸GaN自支撑晶圆项目，技术团队来自中科院等机构和院校。

4英寸GaN单晶衬底似乎要进入量产的节奏，据“三代半风向”不完全统计，国内已有3家企业攻克了4英寸技术瓶颈，而日本的住友和三菱也将在明年正式量产4英寸产品。

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上海新增GaN项目

团队来自中科院？

8月9日，《浦东时报》公示了《瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化》项目的环评公示。

根据公示内容，上海瀚镓半导体科技有限公司将在上海市浦东新区建设“4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试”。

招聘信息显示，瀚镓半导体是一家成立于2020年8月的初创科技公司，由上海集成电路材料研究院支撑孵化，公司位于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。

据介绍，瀚镓公司的技术核心团队成员来自中国科学院、加州劳伦斯伯克利国家实验室、加州大学伯克利分校等知名机构和院校，具有完全自主知识产权的核心专利技术。

瀚镓主要专注于GaN晶体材料制造技术及相关设备、应用技术的开发，进行GaN自支撑晶圆制造关键技术中试研发与产业化。

根据上海市经济和信息化委员会6月30日发布的公告，瀚镓入选了《临港新片区2021年第二批重点产业企业所得税优惠资格拟认定企业名单》。

3家中企突破4英寸

日本2企业明年量产

根据《第三代半导体调研白皮书》，在GaN单晶衬底的研制开发方面，日本、中国、欧美处于世界前列，主要的供应商包括：中国的纳维、中镓、镓特，日本的住友、古河机械、三菱，以及美国的Kyma和法国的Lumilog等公司。

在瀚镓之前，国内已有3家企业涉足GaN单晶领域，并且在4英寸产品方面有所突破。

据《中国科学报》报道，苏州纳维在2017年率先推出4英寸GaN单晶衬底业，并且还突破了6英寸的关键核心技术。2021年1月24日，纳维举行总部大楼奠基仪式，以推进相关技术的进一步发展，项目建成后，GaN单晶衬底及外延片年产能达5万片。

2018年2月，东莞中稼半导体宣布，在国内首次试产4英寸自支撑GaN衬底，并预计同年年底实现常规量产。

据介绍，中稼通过自主开发的HVPE设备，获得4英寸GaN单晶材料；同时克服了GaN衬底研磨抛光技术难点，建立了自有完整的GaN衬底研磨抛光生产线，从而成功实现4英寸自支撑GaN衬底的中试量产。

2020年3月，镓特半导体也宣布开发出4英寸掺碳半绝缘GaN晶圆片，并表示“镓特是第一家，也是唯一一家生产4英寸半绝缘氮化镓晶圆片的公司”。

据介绍，镓特采用了碳掺杂法进行半绝缘氮化镓晶圆片的生长。SIMS数据显示，碳的含量大约在5E17 至3E18 /cm3之间。无意N型氧和硅的掺杂小于1E17 /cm3。室温下的电阻率远远大于1E9 ohm-cm。

在4英寸产品量产化方面，日本走得也很快。

6月17日，住友化学宣布将投入约5.86亿人民币，从2022年开始量产4英寸GaN单晶衬底（.点这里.）。

此外，2022-2023年住友化学还将进一步扩展生产设备，以期在未来5年将GaN衬底营收提升3倍（目前营收约为5.86亿人民币）。

而且，住友化学已经成功制作了6英寸的GaN衬底，并也在加快量产技术的建立。

宣布量产4英寸产品的企业还包括三菱化学。5月18日，三菱化学和日本制铁所开始安装一条示范生产线，将在2022年4月开始供应4英寸GaN单晶衬底。（.点这里.）

据三菱化学透露，他们已开发出4英寸GaN单晶衬底，晶体缺陷仅为普通GaN衬底的大约1/100-1/1000，“几乎没有缺陷”，并且三菱化学也正在开发6英寸的产品。

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