1、单晶准备
(1)N型单抛,<111>晶向
(2)片厚xx~xxμm,r=xx~xxΩ.cm
2、一次氧化
(1)T=xxxx℃,t=xh干氧+xh湿氧+xh干氧+xh三氯乙烯
(2)二氧化硅厚度≥xxμm
(3)装片时,一槽一片
3、双面光刻隔离区
(1)双面对准精度;
(2)胶抗蚀能力;
4、涂硼源
(1)采用含硼二氧化硅乳胶源涂源法;
(2)北京BN30源;
(3)留膜厚度、环境湿度、烘干条件;
5、隔离预扩:
(1)将经xx~xx℃烘(烤)干的硅片装炉扩散;
(2)T=xx~xx℃,t=xx~xxmin;
(3)保护气体:xx:xx氮氧混合气体;
(4)扩散后的LTO清洗、漂洗;
6、隔离再扩散:
(1)T=xx℃,t=xx~xxh;
(2)按规定升降温曲线升降温;
(3)保护气体:氮氧混合气体;
(4)扩散后去双面氧化层,检查是否隔透,最好采用磨角法;
7、双面硼扩散:
(1)预扩散采用片状硼源,双面扩散;
(2)预扩散条件:T=xx~xx℃,t=xx~xxmin;
(3)再分布扩散:T=xx℃,t=xx~xxh;
(4)保护气氛=?氧化层厚度=?
(5)结深:xx~xxμm;
(6)方块电阻:xx~xxΩ/□
8、背面补硼:
(1)将正面二氧化硅用光刻胶保护,去掉背面二氧化硅;
(2)按隔离预扩散的工艺将背面涂源、预扩、LTO、漂洗、清洗分布扩散
(3)主扩散:T=xx℃,t=xxh
9、光刻阴极区:
保留背面二氧化硅;
10、发射区(阴极)磷扩散:
(1)采用液态磷扩散;
(2)T=xx℃,txx~xxmin,方块电阻:xx~xxΩ/□;
(3)分布扩散;
(4)保护气氛,二氧化硅厚
11、正面挖槽:
槽深xx~xxμm,腐蚀液配比x:x:x;每xx片换一次腐蚀液;
12、玻璃钝化:
(1)玻璃钝化前清洗;
(2)玻璃粉型号;
(3)高、低温烧结;
(4)低温烧结后擦粉;
(5)玻璃钝化后化学清洗。
13、光刻引线孔:
14、正反面金属化、正面反刻:
(1)正面金属:Al、SiAl、TiNiAg等;
(2)背面金属:Au、AuGe、AuSi、TiNiAg等
15、合金:
16、划片:
17、中测:
18、焊片
19、封帽:
20、筛选、例试
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****半导体器件仿真设计课程开课通知****
课程名称 | 半导体器件与仿真设计 |
课程特点 | (1)详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系; (2)可选择课程内容中的任一章进行讲解; (3)将半导体器件物理理论与工艺实践结合起来讲解; (4)针对电参数指标要求,采用TCAD进行半导体器件结构设计,给仿真语句 (5)可选择一对一在线直播讲解的形式,也可以采用先购买录制课程,遇到疑问再答疑的形式; (6)对于课程参与人员的信息保密。 |
题目、内容简介及学时、课时费 | 第一章 半导体器件物理与工艺(4学时,100元/人/时) 主要内容:详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解(4学时,100元/人/时) 主要内容:详细讲解仿真语句和模型,主要讲解半导体器件(diode、BJT、MOS、IGBT)仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计(4学时,200元/人/时) 主要内容:根据器件datasheet,完成器件结构参数设计,设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计(4学时,200元/人/时) 主要内容:根据器件datasheet,完成器件结构参数设计,设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计(4学时,200元/人/时) 主要内容:根据器件datasheet,完成器件结构参数设计,设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计(4学时,200元/人/时) 主要内容:根据器件datasheet,完成器件结构参数设计,设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计(4学时,200元/人/时) 主要内容:根据器件datasheet,完成器件结构参数设计,设计得到的电参数满足指标要求。 |
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