Cree、Qorvo、恩智浦、Microchip等众多企业都密集推出了5G氮化镓产品；住友电工、恩智浦也在美国建设5G氮化镓工厂。
GaN将在5G部署中取代LDMOS技术，预计2026年5G市场对GaN RF器件的需求规模将达到62.7亿元。目前一些企业已经开始获得大订单，比如贰陆就获得了6.46亿元的长期供货协议。
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住友、恩智浦建厂
众多企业密推5G氮化镓
不知是否跟世界移动通信大会(mwc)最近召开有关，近段时间，5G氮化镓频繁亮相。
据日经新闻7月4日报道，住友电工将投资数十亿日元（10亿日元相当于5800万人民币），从9月开始在美国新泽西州工厂设立5G芯片生产线。
在美国设厂的还有恩智浦。2020年9月30日，恩智浦宣布已在美国亚利桑那州开设了一家工厂，将使用6英寸氮化镓晶片生产5G芯片，工厂在2020年底前达到满负荷生产。
此外，雷神也在介入。5月19日，雷神发布公告称，将与代工厂格罗方德合作开发新型硅基氮化镓，为5G和6G设施带来“改变游戏规则”的射频性能。
还有多家企业接连推出了5G氮化镓产品。
6 月 29 日 | Qorvo推出专为5G小基站设计的氮化镓PA。 |
6月28日 | 恩智浦推出了GaN 多芯片模块平台5G射频解决方案。 |
6月22日 | Microchip推出专为5G网络设计的GaN MMIC功率放大器。 |
6月9日 | Cree与MaxLinear合作推出GaN-on-SiC中频功率放大器解决方案。 |
目前，一些企业已经受益。2019年12月，贰陆（II-VI）宣布签署了一项总额超过1亿美元（约6.46亿人民币）的多年期协议，为5G无线基站氮化镓射频功率放大器提供碳化硅衬底。
Qorvo最新财报显示，Qorvo2021财年第四季度（截至2021年4月3日）收入为10.73亿美元（约69亿人民币），而5G RF产品是重要推动力。
Yole预测，2026年GaN RF市场规模将达到24亿美元（约153.6亿人民币），其中，2026年5G电信GaN RF营收占比将达到41%，约62.7亿人民币。
5G为何需要GaN？
行业专家认为，尽管LDMOS技术在射频基站中仍然占据最大的市场份额，但预计GaN将继续在5G大规模MIMO中取代它。据了解，2014年，中国电信运营商在部署4G LTE期间就开始采用GaN射频方案。
总得来说，5G通信采用GaN有以下几个好处：
• GaN具有更高的功率密度，能够以更大的功率传输信号，从而扩大基站的覆盖范围。
• 更高的功率密度还有助于缩小整体方案的外形尺寸，所需的PCB 空间更小。
• GaN功率放大器可以在高达250华氏度下运行，从而简化了系统的散热器和冷却要求，进一步减小了尺寸和成本。
• GaN也有助于降低运行基站的费用，在Doherty PA配置中，GaN的平均效率高达 60%，输出功率为 100W，显著降低了运行耗电。
根据科锐介绍，他们与MaxLinear合作的解决方案，可为 5G 应用所需的大规模 MIMO 射频节省数百瓦的功率消耗。在280MHz的瞬时带宽、39.5dBm平均输出功率下，该放大器效率大约为50%。
在2.6 GHz频率下，恩智浦的GaN多芯片模组可将产品组合效率提高到52%，比公司上一代模块高出8%。
Qorvo的GaN放大器系列产品可为客户提供高功率附加效率 (PAE)，在大多数情况下超过30%，并覆盖了主要的 7 GHz 以下 3GPP 频段。
在27.5-31 GHz之间的3.5 GHz带宽上，Microchip的碳化硅基氮化镓方案可提供高达10W的饱和射频输出功率。
