罗姆第三代SiC MOSFET功率元器件为沟槽式结构，具有高速开关、低导通电阻的特点，寄生二极管的反向恢复工作特性更佳、功率损耗大幅降低，开关损耗降低73%。可广泛应用于太阳能功率调节器、电源、车载(EV/PHEV)用充电器和DC/DC转换器等，助力工业设备和汽车领域实现节能和小型化。
参数说明：
P02SCT3040KR-EVK-001
• 罗姆SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-4L)评估用
• 通过改变电路乘数器，可用来评估罗姆其他SiC－MOSFET
• 除了TO-247-4L外，还有TO-247-3L的通孔，可在同一评估板上进行对比评估
• 单一电源(+12V工作)
• 可进行最大150A的双脉冲测试，最大开关工作频率500kHz
• 支持各种电源拓扑(Buck, Boost, Half-Bridge)
• 内置栅极驱动用隔离电源，可通过可变电阻调整(+12V～+23V)
• 可通过跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压
• 可防止上下臂同时导通，内置过电流保护功能(DESAT, OCP)
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