6月29日，据外媒最新报道，三星宣布，3nm制程技术已经正式流片!
据悉，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能上完胜台积电的3nm FinFET架构!
据报导，三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为GAA构的生产流程提供高度优化的参考方法。而因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的 FinFET的架构，而是采用GAA的结构。在此情况下，三星需要新的设计和认证工具，因此采用了新思科技的Fusion Design Platform。
三星半导体设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示，三星半导体是推动下一阶段产业创新的核心。所以，三星将藉由不断进行的技术制程发展，以满足专业和广泛市场应用不断增长的需求。如此，在三星电子最新的、先进的3nm GAA结构制程技术上，受惠于与新思科技的广泛合作，在Fusion Design Platform加速准备，以有效达成3nm制程技术的承诺，证明了这些关键联盟的重要性和好处。
报导指出，所谓的GAA(Gate-all-around )架构，是一个周边环绕着Gate 的FinFET架构。依照专家的观点，GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力得以强化，藉此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。相较传统FinFET的沟道仅3面被栅极包覆，GAA若以纳米线沟道设计为例，沟道的整个外轮廓都被栅极完全包裹住，这就代表着栅极对沟道的控制性能就更好。
据了解，3nm GAA制程技术有两种架构分类，也就是3GAAE和3GAAP。这是两款以纳米片的结构设计，在鳍中具有多个横向带状线。这种纳米片设计已被研究机构IMEC作为FinFET架构后续的产品进行了大量研究，并由IBM与三星和格罗方德合作进行了技术发展。
三星指出，这种技术具被高度可制造性。原因是它利用了该公司现有的约90%的FinFET制造技术予设备，而只需要少量修改过的光罩即可。另外，该制程技术具有出色的栅极可控性，这比三星原本采用的FinFET技术高31%，且因为纳米片信道宽度可通过直接图像化来改变，这就给设计提供了灵活性。
