（1）SiC-DMOS结构
（2）SiC-DMOS转移特性和输出IV特性
#DEFECT 语句:
#不规则材料的带隙中有大量缺陷能态.采用连续的能态密度,可以精确地模拟由多晶或非晶物质组成的器件.DEFECT 语句定义缺陷态密度（density of defect states,DOS）由指数衰减的带尾态和高斯分布的带隙态(mid-gap states)两部分组成.除此之外,必须把晶粒间边界界面作为热离场发射边界来模拟.
#ega:类受主能态高斯分布峰对应的能量.可通过测量导带的边缘获得.
#egd:类施主能态高斯分布峰对应的能量.可通过测量价带的边缘获得.
#nta:导带边缘尾分布（tail distribution）处类受主的能态密度.
#ntd:价带边缘尾分布处类施主的能态密度.
#nga:高斯分布中总的受主态密度.
#ngd:高斯分布中总的施主态密度.
#siggae:类受主的高斯分布中电子的俘获截面.
#siggah:类受主的高斯分布中空穴的俘获截面.
#siggde:类施主的高斯分布中电子的俘获截面.
#siggdh:类施主的高斯分布中空穴的俘获截面.
#sigtae:类受主的尾分布中电子的俘获截面.
#sigtah:类受主的尾分布中空穴的俘获截面.
#sigtde:类施主的尾分布中电子的俘获截面.
#sigtdh:类施主的尾分布中空穴的俘获截面.
#wga:类受主能态的高斯分布所对应的特征衰变能（characteristic decay energy）.
#wgd:类施主能态的高斯分布所对应的特征衰变能.
#wta:类受主能态的尾分布所对应的特征衰变能.
#wtd:类施主能态的尾分布所对应的特征衰变能.
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****半导体器件仿真设计课程开课通知****
课程名称 | 半导体器件与仿真设计 |
课程特点 | （1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系； （2）可选择课程内容中的任一章进行讲解； （3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起来讲解； （4）针对电参数指标要求，采用TCAD进行半导体器件结构设计，给仿真语句 （5）可选择一对一在线直播讲解的形式，也可以采用先购买录制课程，遇到疑问再答疑的形式； （6）对于课程参与人员的信息保密。 |
题目、内容简介及学时、课时费 | 第一章 半导体器件物理与工艺（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解仿真语句和模型，主要讲解半导体器件（diode、BJT、MOS、IGBT）仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 |
参考材料 | 实例及手册 |
授课方法 | 直播+讲解+答疑 |
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