发表于: 电子产品世界杂志，2021.3(28)：74-77
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https://d.wanfangdata.com.cn/periodical/dzcpsj202103028
摘要： 本文总结了功率因素校正电路加旁路二极管作用的几种不同解释:减少主二极管的浪涌电流;提高系统抗雷击的能力;减少开机瞬间系统的峰值电流,防止电感饱和损坏功率MOSFET.具体分析了输入交流掉电系统重起动,导致功率MOSFET驱动电压降低、其进入线性区而发生损坏,才是增加旁路二极管最重要、最根本的原因.给出了在这种模式下,功率MOSFET发生损坏的波形和失效形态,同时给出了避免发生这种损坏的几个措施。
关键词： 功率因素校正 旁路二极管 线性区 欠压保护
结论：
1、功率因素校正电路加旁路二极管最主要的作用是：在输入交流掉电系统重起动过程中，控制IC的VCC大于UVLO，在没有软起动的条件下，降低PFC电感和功率MOSFET的最大峰值电流，从而防止功率MOSFET发生大电流的冲击损坏，以及线性区工作损坏。同时，对于输入交流AC从低压跳变到高压，也起到同样的作用。
2、防止功率MOSFET发生大电流线冲击、线性区工作损坏的方法主要有：适当增大PFC的电流取样电阻RS，校核功率MOSFET饱和电流，电感的饱和电流，并保证功率MOSFET在PFC控制IC的UVLO电压以及最高工作温度时的饱和电流大于电感的饱和电流，电感的饱和电流大于取样电阻设定的最大电流，同时有一定的设计裕量。
