存储器相关问题汇总【SRAM】【DRAM】【SDRAM】【Flash】【EPROM】【EEPROM】

嵌入式客栈 2021-06-14 07:30

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1.（大疆2020芯片工程师A卷，单选）

1 个 16K x 8 位的存储器，其地址线和数据线总和是（）

A、46

B、17

C、48

D、22

答案：D

解析：

地址线：16K = 1K*16 = 1024*16 = (2^10)*(2^4) = 2^14，即需要 14 根地址线；

数据线：8 位数据需要 8 根数据线；

所以一共需要 22 根线。

2. （乐鑫2021数字IC提前批，填空）

用2048x12的ROM芯片，最多能实现（）个输入（）个输出的组合逻辑的数。

答案：11，12

解析：

2048=2^11，2048深度，是11位地址位，2048*12表示11位输入地址、12位输出数据（ROM只能输出）。

3. （大疆2020芯片工程师A卷，多选）

下面哪些是非易失性存储器（）

A、Flash

B、EPROM

C、DRAM

D、SRAM

答案：AB

解析：

（1）ROM（Read-Only Memory，只读存储器）只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出。

可编程只读存储器（PROM）;

可擦可编程序只读存储器（EPROM）;

带电可擦可编程只读存储器（EEPROM，一般使用 IIC 接口读写）。

（2）RAM（Random Access Memory，随机存取存储器），而且速度很快，RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果，比如计算机的8G内存，掉电丢失；

（3）SRAM（Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器）是 RAM 的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以保持；

（4）DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器），需要周期性地更新存储数据，所以叫“动态”。

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SRAM 和 DRAM 比较：

SRAM 不需要动态刷新，速度快，性能高，但是功耗大、集成度低，同时体积也比 DRAM 大，由此 SRAM 的造价更高。

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（5）SDRAM（Synchronous Dynamic Random-access Memory，同步动态随机存取内存），是有同步接口（Synchronous）的 DRAM，系统读写能够同步；

第一代 SDRAM 是 SDR 单数据速率，其后第二代 DDR SDRAM、第三代 DDR2 SDRAM、第四代 DDR3 SDRAM、第五代 DDR4 SDRAM 均为双倍速率的存储器，一般简称 DDR。

DDR：Double Data Rate。

（6）Flash 存储器，又叫闪存，非易失性存储器件。结合 RAM 和 ROM 的优点，既能电可擦除，不掉电丢数据（ROM），又能快速读写数据（RAM），U盘大部分使用的是 Flash 技术，所以你知道了，不丢数据，可读可写，还挺快，但是还是不如 RAM 快。

Flash 分 2 种：Nor Flash 和 Nand Flash。

Nand Flash	成本低，串行结构，读写慢，可靠性差
Nor Flash	与上面相反

很多 FPGA 也是基于 SRAM 架构的，下载程序后运行，而断电后再次上电，需要重新下载程序。由此引出所谓的“固化”，即将程序下载到 EEPROM、Flash 等非易失性器件中，每次上电后从 EEPROM 或者 Flash 中加载对 FPGA 的配置（bitstream），比如 Xilinx FPGA 常用 QSPI Flash、SD 卡等方式。