该模型考虑了在Si/二氧化硅界面上，Si/H键断裂时产生的界面态。考虑三种不同的机制：
（1）场增强热退化
（2）单粒子 (SP) 过程
（3）多粒子(MP) 过程
Thefield-enhanced thermal degradation process can also be studied by using the ReactionDiffusion model described above with a suitable choice of parameters.
The SP process is the breaking of the Si-H bond via a single hot electron or hole. Thereaction rate for this process at position r is given by：
where is the anti-symmetric part of the carrier distribution function, g(E) is the densityof states, and ug is the group velocity.
The device is biased into the stressing state using the drift-diffusion model. Then, the carrierdistribution function is obtained by solving the Boltzmann Transport Equation (BTE) in thesemiconductor with suitable boundary conditions.
You specify BTE.PP.E on the MODELSstatement and DEVDEG.GF.E on the SOLVE statement where you want the BTE solution forelectrons.
For holes, you specify BTE.PP.H on the MODELS statement and DEVDEG.GF.H onthe SOLVE statement. You also specify stressing times using the TD1, TD2 ... TD10parameters on the same SOLVE statement and the name of a structure file stem. Thedegradation charge is calculated at the specified stressing times, TDn, according to theformulae
For electrons, is negative interface charge density. For holes, is positive interfacecharge density. NTA.SP and NTD.SP are specified on the DEGRADATION statement.
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****半导体器件仿真设计课程开课通知****
课程名称 | 半导体器件与仿真设计 |
课程特点 | （1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系； （2）可选择课程内容中的任一章进行讲解； （3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起来讲解； （4）针对电参数指标要求，采用TCAD进行半导体器件结构设计，给仿真语句 （5）可选择一对一在线直播讲解的形式，也可以采用先购买录制课程，遇到疑问再答疑的形式； （6）对于课程参与人员的信息保密。 |
题目、内容简介及学时、课时费 | 第一章 半导体器件物理与工艺（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解仿真语句和模型，主要讲解半导体器件（diode、BJT、MOS、IGBT）仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 |
参考材料 | 实例及手册 |
授课方法 | 直播+讲解+答疑 |
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