Hansch MOS 可靠性模型可用于模拟应力条件下MOS晶体管的退化。器件特性退化的原因是热电子（空穴)注入栅氧化层，以及电子（空穴）电荷被有效界面受主（施主）类陷阱俘获。
该模型根据lucky电子模型计算热电子（空穴）注入电流。在具有一定捕获截面的氧化物-半导体界面上，指定了类受主和类施主陷阱在不同位置的分布。通过瞬态响应计算，得到器件退化与应力作用时间的关系。在每个时间步长上求解了捕获速率方程，从而计算了捕获的电子（空穴）浓度。电子捕获的速率可以用以下方程式来描述：
其中，在瞬态模拟过程中，N（x、t）表示在界面上点x，在时刻t，捕获的电子（空穴）密度。NTA和NTD参数表示在t=0时的类受主和类施主陷阱密度。Jinjn(x、t)和Jinjp(x、t)参数是注入的电子和空穴电流密度，SIGMAE和SIGMAH是电子和空穴的捕获截面。
若要激活此模型，使用DEVDEG，DEVDEG.E和DEVDEG.H（分别考虑热电子和空穴注入、热电子或热空穴注入）。
应力模拟的结果可用于计算退化器件的特性（阈值电压漂移、跨导退化等）。可以查看陷阱的分布、热电子（空穴）电流密度以及捕获电子（空穴）分布。
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****半导体器件仿真设计课程开课通知****
课程名称 | 半导体器件与仿真设计 |
课程特点 | （1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系； （2）可选择课程内容中的任一章进行讲解； （3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起来讲解； （4）针对电参数指标要求，采用TCAD进行半导体器件结构设计，给仿真语句 （5）可选择一对一在线直播讲解的形式，也可以采用先购买录制课程，遇到疑问再答疑的形式； （6）对于课程参与人员的信息保密。 |
题目、内容简介及学时、课时费 | 第一章 半导体器件物理与工艺（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解仿真语句和模型，主要讲解半导体器件（diode、BJT、MOS、IGBT）仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 |
参考材料 | 实例及手册 |
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