专注ALD创新，助力超越摩尔
据麦姆斯咨询报道，2021年5月25日，思锐智能（SRII）与国家智能传感器创新中心战略合作签约仪式暨SRII旗下BENEQ原子层沉积（ALD）产品技术路演在上海嘉定隆重举行。思锐智能总经理聂翔先生在战略合作签约仪式致辞中表示：“与国家智能传感器创新中心的全面战略合作是思锐智能深化在超越摩尔领域布局最重要的战略举措。双方建立了联合研发实验室，并已全面投入使用之中。未来双方将重点开展面向MEMS和CMOS图像传感器等重要领域的联合研发工作，以开放包容的机制为超越摩尔行业提供全面系统的技术解决方案！”
“国家智能传感器创新中心和思锐智能都青睐‘智能’两个字，都对超越摩尔产业情有独钟，双方就以原子层沉积（ALD）设备及技术作为起点，建立战略合作伙伴关系，未来将在制造工艺设备的国产化，以及新材料、新工艺、新器件、新应用等方面展开合作研究，非常值得期待。”国家智能传感器创新中心副总裁焦继伟博士表示，“此次战略合作协议的签订，标志着我们双方合作跨上了一个新的台阶！”
思锐智能与国家智能传感器创新中心战略合作签约仪式（左：思锐智能总经理聂翔先生；右：国家智能传感器创新中心副总裁焦继伟博士）
在SRII旗下BENEQ原子层沉积（ALD）产品技术路演环节，思锐智能聂总首先介绍公司情况：“思锐智能成立于2018年，对标国家战略性新兴产业发展方向，针对半导体装备关键核心技术，全资收购了芬兰的BENEQ公司——拥有近40年的ALD技术经验。现在，BENEQ公司是我们海外技术研发中心，同时正在组建国内技术中心和产业化中心。思锐智能致力于成为世界一流的ALD设备和服务提供商。”
思锐智能聂翔先生介绍公司情况
随后，聂总阐述了思锐智能发展历程、ALD技术特点、镀膜工艺过程、业务布局（包括开发服务、ALD设备、镀膜服务）等内容，并推荐了Transform系列产品——面向超越摩尔、集成电路和泛半导体的系列化ALD解决方案，支持Thermal batch ALD和PE-ALD，适用于Al₂O₃、SiO₂、HfO₂、Ta₂O₅、TiO₂、TiN、AlN、SiN等典型镀膜工艺。目前，8英寸ALD设备获得来自欧、美、日和国内知名半导体客户订单，第二代12英寸ALD设备预计2021年底推出，已有多个高度意向订单。
Transform系列工业量产型ALD设备
在产品技术详解环节，两位BENEQ芬兰专家通过云端联线方式作了主题为“BENEQ ALD和Semi ALD产品”和“ALD技术在功率氮化镓和碳化硅、射频和CMOS图像传感器等领域的应用”两个精彩报告。BENEQ半导体业务负责人Patrick Rabinzohn表示：“从研发阶段到批量生产，BENEQ ALD设备都可提供灵活的解决方案。我们已将单片、批量、热法及等离子体增强功能集成在同一平台上，在工艺制备中可满足最苛刻的薄膜沉积要求。在批量生产方面，BENEQ Transform系列凭借多功能性和灵活性，制造了全新的ALD集群工具设备，既能满足特定的晶圆产能要求，也可为应对不断增长的产量或新的ALD应用而进行升级，因此可适用于广泛的应用场景。Transform系列拥有非常高的产能和性能，使得单片晶圆加工成本非常低。”
BENEQ半导体业务技术总监Alexander Perros针对ALD技术的超越摩尔应用案例进行介绍：“在功率器件方面：ALD技术适用于氮化镓、碳化硅以及传统的IGBT，主要涉及高K电介质的薄膜沉积，包括栅极绝缘层的沉积，旨在实现低界面态或高击穿电压。在射频滤波器方面：ALD技术在改善压电材料的性能的压电系数和机电耦合系数方面发挥重要作用。在射频IC方面：ALD表面钝化方法和高介电栅极叠层对于III-V材料上的MOS是必不可少的。在MEMS方面, ALD技术可以形成抗粘连疏水膜和保形密封层。在图像传感器、LED、光电子方面，ALD是用于表面钝化和防反射镀膜的解决方案。”
BENEQ ALD技术的超越摩尔应用矩阵
在最后的媒体专访环节，思锐智能聂总就大家关心的产业热点和公司布局进行解答。聂总表示：“我们把BENEQ的技术优势和思锐智能的整合能力结合在一起，实现芬兰和中国两边协同研发，并让工作变得更加高效。今年下半年也会打造国内的产业化基地，加大技术的本地化，更好地服务中国大市场。在MEMS方面，我们已经在MEMS加速度计、MEMS陀螺仪、MEMS麦克风、射频滤波器等领域有了成功经验，下一步我们将针对集成电路加速12英寸ALD设备研发进程，目前主流厂商已经有了意向订单。”
思锐智能聂翔先生接受媒体专访
