wafer晶体牵涉的基础内容较多，可能讲起来有点冗长，但是知识点还是干货的，凑在一起形成一个系统的理论框架是可以的。
上期说到砷化镓wafer的晶向切割的问题。一个完整的六寸或者8寸等圆片，如何确定切割的晶向呢？
这就要从wafer的老大哥硅片说起。单晶硅片都是一个硅锭生长而成，然后打磨切割，如下图
研磨好之后，就需要统一分晶向，做定位边，有个行业规定：
根据平边的类型，分辨wafer的种类。但是也不是绝对的，一般wafer出厂会有定义。例如对于砷化镓的基板，P型 和N型都是第三种类型的平边。
对于砷化镓激光器如何根据平边切割出<110>晶面？
如下图，我们看出
在垂直<110>晶向上切出出光面，
切割砷化镓晶面，就不能采用常规的切穿晶圆的方法了，需要用划片机，先在wafer面上划开一个沟道，然后用劈裂机，施加一个外力，让晶圆自然解离。
这样晶圆会顺着本身原子力最弱的一个晶体面解离开。
因此如何准确找到解离面的方向是关键，这时就需要用到定位边，定位边本身有固定的晶向和所处的晶面，但是此时是抛出了做定位边时的机械等误差的，有的质量差得，不一定是准确的。那时平边方向可能和正确的晶向存在一个夹角。厂家给的精度一般是±0.05°，但是IC一般都这个精度不敏感，但是激光器比较敏感，就需要重新做晶向定位边。这个可以考虑如何做？
激光die的图案上都有预留切割道。
