半导体工艺仿真——离子注入

（1）离子注入模型参数包括GAUSS, PEARSON, FULL.LAT, MONTECARLO以及BCA。

（2）CRYSTAL 和 AMORPHOUS：当采用掩蔽层材料时，需要定义 AMORPHOUS来避免沟道效应。

（3）FULL.DOSE 定义用于调整补偿倾角的注入剂量。通常用于高剂量的离子注入。

Adjusted Dose = DOSE/cos(TILT) 

（4）FULLROTATION规定应按所有旋转角度进行离子注入。

（5）PLUS.ONE (UNIT.DAMAGE、 D.PLUS), 以及DAM.FACTOR (D.SCALE) 定义离子注入损伤计算值。

（6）S.OXIDE 定义SVDP 离子注入模型屏蔽氧化层参数。

（7）N.ION 定义蒙特卡罗方法的离子轨迹的数量，对于1D结构，缺省N.ION为1,000，对于2D结构，缺省N.ION 为10000.

（8）DIVERGENCE 定义离子注入波束的宽度。

（9）DIX.0 和 DIX.E 定义杂质在中性间隙中扩散的扩散系数。DIX.0 是前指数项常数，DIX.E 是激活能。改变硅中磷杂质在中性间隙扩散率。

IMPURITY I.PHOSPHORUS SILICON DIX.0=3.85 DIX.E=3.85

（10）SEG.0 和 SEG.E 用来计算平衡态下的分凝浓度。SEG.0是无单位前指数项常数，SEG.E是激活能，单位为eV.改变硅-二氧化硅界面杂质的分凝系数。磷在硅中的平衡浓度是二氧化硅中的30倍。

IMPURITY I.PHOSPHORUS SILICON /OXIDE SEG.0=30.0 SEG.E=0.0

（11）SS.CLEAR, SS.TEMP,和 SS.CONC 是固溶度数据。SS.CLEAR表示清除当前存储的指定材料中指定杂质的固溶度数据。SS.TEMP 和 SS.CONC 添加单一温度和对应的固溶度。设置硅中铟的激活能与温度的关系。

IMPURITY I.INDIUM SILICON SS.TEMP=800 SS.CONC=<VAL1> SS.CLEAR

IMPURITY I.INDIUM SILICON SS.TEMP=900 SS.CONC=<VAL2>

IMPURITY I.INDIUM SILICON SS.TEMP=950 SS.CONC=<VAL3>

（12）多晶硅扩散模型参数：PD.DIX.0和PD.DIX.E定义沿着晶界方向的杂质扩散系数 

PD.DIX.0 是晶粒边界扩散系数的前指数因子(cm2/sec).

PD.DIX.E是晶粒边界扩散系数的激活能(eV).

PD.EFACT 指定晶界分离系数的熵因子。

PD.SEG.E 指定晶界分离系数的激活能。

PD.TAU晶粒边界时间常数。

PD.GROWTH.0 定义晶粒增长率前指数项常数。

PD.GROWTH.E 指定晶粒增长率的激活能。

PD.CRATIO 规定了晶界中的杂质浓度与总浓度之间的初始比值。

（13）TRNDL.0 和TRNDL.E定义界面陷阱模型，描述在硅/二氧化硅界面的剂量损失。TRNDL.0 是cm/sec;TRNDL.E是eV.

（14）TRN.0 和TRN.E定义给定界面的传输速率。TRN.0是前指数项常数(cm/sec). TRN.E 是激活能(eV).

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