(1)SGT-MOS与常规DMOS结构
屏蔽栅侧壁氧化层厚度：0.7um
屏蔽栅底部氧化层厚度：0.5um
屏蔽栅隔离氧化层厚度：0.3um
屏蔽栅宽度：0.4um
屏蔽栅纵向长度：3.4um
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（2）SGT-MOS与常规DMOS栅电荷对比
VG~QG特性:
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**************开课通知******************
课程名称 |
半导体器件与仿真设计 |
讲解人 |
半导体技术人 |
题目、内容简介及学时、课时费 |
第一章 半导体器件物理与工艺（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解二极管、三极管、MOS管及IGBT器件结构、工作原理、制造工艺、结构参数/电学参数/工艺参数之间的关系等。 第二章 仿真软件语句、实例讲解（4学时，100元/人/时） 主要内容：详细讲解仿真语句和模型，主要讲解半导体器件（diode、BJT、MOS、IGBT）仿真语句和仿真设计方法。讲解过程中也会涉及到电路仿真软件和版图绘制软件。 第三章 XX型号二极管仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第四章 XX型号BJT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第五章 XX型号MOSFET仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第六章 XX型号IGBT仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 第七章 其它类型器件仿真设计（4学时，200元/人/时） 主要内容：根据器件datasheet，完成器件结构参数设计，设计得到的电参数满足指标要求。 |
参考材料 |
实例及手册 |
授课方法 |
直播+讲解+答疑 |
报名方法 |
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SGT（split-gate-trench，分裂栅极沟槽）结构因其具有电荷耦合效应，在传统沟槽mosfet垂直耗尽（p-body/n-epi结）基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。在采用同样掺杂浓度的外延规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压，该结构在中低压功率器件领域得到广泛应用。
MOS器件第一个深沟槽(Deep Trench)作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻(RSP)和栅极电荷(Qg)。第二个源极沟槽
(Source Trench)作为有源区接触电极，该设计能减小原胞尺寸(Pitch Size)和改善器件比导通电阻，有利于提高器件高温、大电流能力及EAS能力。第三个栅极沟槽(Gate Trench)作为有栅极接触电极，该设计能优化器件MOS工艺流程，降低产品生产成本，同时提高产品良率。
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