(1)SGT-MOS与常规DMOS结构
屏蔽栅侧壁氧化层厚度：0.7um
屏蔽栅底部氧化层厚度：0.5um
屏蔽栅隔离氧化层厚度：0.3um
屏蔽栅宽度：0.4um
屏蔽栅纵向长度：3.4um
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（2）SGT-MOS与常规DMOS开关特性对比
2.1通态电流线及断态电场分布对比
2.2开关时间对比
(1)VG对比
(2)VD~VG对比
(3)寄生二极管开通、反向恢复特性
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SGT（split-gate-trench，分裂栅极沟槽）结构因其具有电荷耦合效应，在传统沟槽mosfet垂直耗尽（p-body/n-epi结）基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。在采用同样掺杂浓度的外延规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压，该结构在中低压功率器件领域得到广泛应用。
MOS器件第一个深沟槽(Deep Trench)作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻(RSP)和栅极电荷(Qg)。第二个源极沟槽
(Source Trench)作为有源区接触电极，该设计能减小原胞尺寸(Pitch Size)和改善器件比导通电阻，有利于提高器件高温、大电流能力及EAS能力。第三个栅极沟槽(Gate Trench)作为有栅极接触电极，该设计能优化器件MOS工艺流程，降低产品生产成本，同时提高产品良率。
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