昨天，一家国外机构对外展示了8英寸硅基GaN的最新成果——其工作电压达到1200V，硬击穿电压超过1800V，有望打开电动汽车等高电压应用的大门，“GaN爆发临界点已到”？
据“三代半风向”了解，丰田集团已经投资了该成果的关键技术，而日本信越已经获得了相关专利授权，将大规模生产该产品。相比SiC，该技术也更具成本优势，接下来SiC是否会受影响？
8英寸硅基GaN
电压突破1200V
图释：Imec的1200V缓冲层在25°C时显示的垂直泄漏电流低于1µA / mm2，在150°C电压高达1200V时，垂直泄漏电流低于10µA / mm2，击穿电压在25°C和150°C时均超过1800V。
imec表示，多年来，8英寸的硅基GaN技术已取得了巨大进步，但是要获得650V以上工作电压一直是一个挑战，因为要在200mm的硅晶片上生长足够厚的GaN缓冲层很困难。
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据透露，他们能够实现高击穿电压的关键在于，采用了AIXTRON的设备，从而可以对复杂的外延材料叠层进行精心设计，并还结合使用了Qromis公司的200mmQST®衬底。
此前，AIXTRON已经在imec的工厂中安装了AIXTRON G5 + C，接下来他们将会把imec的技术导入到AIXTRON的MOCVD反应器中，以实现快速的产量提升。
除了AIXTRON，2017年Kyma 也曾宣布可以使用K200 HVPE设备，在Qromis的QST衬底上生长8英寸GaN。
另外，imec正在探索垂直GaN器件，以进一步扩展GaN技术的电压和电流范围。
丰田已投资
信越已获得授权
据介绍，Qromis总部位于美国硅谷，于2015年成立，并开始QST衬底的商业化。
2020年1月，Qromis获得了由日本SPARX的未公开投资，其中很大一部分来自丰田汽车公司。
同时，Qromis还与日本信越化学签署了专利授权协议，信越负责生产QST衬底和GaN-on-QST外延晶片。而信越将借助QST补充其现有的GaN-on-Si产品阵容。
另外，Qromis还有另一个代工合作伙伴Vanguard国际半导体（VIS），同时还将其关键技术授权给了台湾的晶圆代工厂进行制造。
目前，Qromis已经发布了六英寸和八英寸的QST衬底，以及具有5微米和10微米GaN层的“模板”，产品良率为90%。
GaN临界点已到？
SiC会被替代？
他表示，“现在GaN可以成为20V-1200V工作电压范围内的首选技术，而且由于GaN功率技术可在大产能的CMOS晶圆厂中用较大晶圆上进行处理，所以相比昂贵的SiC技术，它具有显著的成本优势。”
对于这项技术，大家怎么看？在下面说出你的观点。
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