双脉冲测试基础系列：基本原理和应用

在以前甚至是今天，许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的，而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要，但是往往这样看不出具体的开关损耗，电压或者电流的尖峰情况，以及寄生导通情况。这会导致对有些风险的认识出现盲点，进而影响最后产品未来的长期可靠性。又或者设计裕量过大带来成本增加，使得产品的市场竞争力下降。如果能在设计研发阶段，精准地了解器件的开关性能，将对整个产品的优化带来极大的好处。比如能在不同的电压、电流和温度下获得开关损耗，给系统仿真提供可靠的数据；又比如可以通过观察波形振荡情况来选择合适的门极电阻。

顾名思义，双脉冲测试就是给被测器件两个脉冲作为驱动控制信号，如图1所示。第一个脉冲相对较宽，以获得一定的电流。同时第一个脉冲的下降沿作为关断过程的观测时刻，而第二个脉冲的上升沿则作为开通过程的观测时刻。

图1

考虑到可能的电场干扰，最佳的双脉冲平台是全桥结构的，如图2所示。3管的门极给15V常开信号，4管则是处于常关，2管作为被测器件给予双脉冲信号。1管主要作用于续流，所以门极可以是常关信号，或者在使用MOS管时门极用同步整流信号。第1个脉冲来临时，电流经过3管和负载电感进入2管。为了得到一个期望的电流值，此脉冲需持续一定时长，时长可通过T=I*L/V来获得，其中L是负载电感值，I是期望电流，V是母线电压。当然实际中可以直接用示波器观察电流值来调整脉宽。

第一个脉冲结束时，2管关断，表现出器件的关断波形。此后，电流在3管、负载和1管中续流。当第2个脉冲到来时，2管开通，1管上的电流重新流入2管，这时可测量1管的反向恢复特性及2管的开通特性。其中电流的获取在小功率时可以采用电流检测电阻，而大电流时一般使用磁性电流检测器，比如罗氏线圈或者Pearson磁环。关于电压电流探头的使用之前有专门的文章详细介绍过：

微课堂|测量IGBT开关特性对电压探头的要求

测量IGBT开关特性对电流探头的要求

图2

平时实验室测量时结构上也可以简化成半桥形式，如图3，工作原理和全桥类似，这里就不累述了。

图3

通过双脉冲测试，可以得到包括开关损耗，各电压电流尖峰值，斜率变化值在内的动态参数。比如IGBT参数：

各参数可以在示波器上直接测量得到，定义如图4：

图4

以及反并联二极管参数：

各参数测量定义如图5：

图5

其中开关损耗需要借助示波器的函数运算功能获得，也可以把所有波形都存成表格点再后期进行处理运算。图6和图7分别是开通和关断波形。其中1通道黑色的是被测器件VCE的信号，2通道红色的是桥臂电流，3通道绿色的是门极信号。数学运算1是电压和电流信号的乘积，数学运算2是该乘积的积分线，也就是损耗值。根据国标定义，开通损耗的积分时间区间为门极电压上升的10%到VCE电压下降至2%这个区间；而关断损耗的积分时间区间为门极电压下降至90%到电流降到2%。如果有些许振荡的话，以第一次触及边界值为准。但有严重振荡的话建议调整驱动参数（比如增加门极电阻）重新测量。

双脉冲测试非常适合研发阶段对器件在系统上的损耗评估，为系统仿真带来数据支持。毕竟有太多的因素会使实际值和数据规格产生很大差别，用规格书上的值做为仿真依据粗糙了些，当然器件选型的时候还是很值得借鉴的。设计越精准，对成本控制就越友好。

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