(1)IGBT结构
（2）contact和trench etch对偏结构
2.1 对偏和对准情况下转移特性对比（与当前一次流片实验结果不符合，原因以后会给出）
对偏：
对准：
2.2 对偏和对准情况下输出IV对比
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在阈值电压测试条件（IC=150mA，VGE=VCE）下时，对于1200V耐压等级，当P-体区注入剂量为3E13cm-2时，器件阈值电压为5.53V，满足器件阈值电压指标要求（5.2~6.4V），在该注入剂量情况下，器件击穿电压为1326V（@IC=1mA），满足器件击穿电压电参数指标要求。
以IGBT正向压降VF最小化作为器件优化设计的目标。当场截止层掺杂浓度为1E17cm-3时，在VGE=15V，IC=14A时，器件通态压降为1.6V；IC=23A时，器件通态压降为1.7V；IC=36A时，器件通态压降为1.8V，满足器件饱和压降参数指标要求。当场截止层掺杂浓度为2E17cm-3时，在VGE=15V，IC=3.31A时，器件通态压降为1.9V；IC=4.3A时，器件通态压降为2V；IC=5.7A时，器件通态压降为2.1V；当场截止层掺杂浓度＞2×1017cm-3时，器件饱和压降显著增大，超出器件电参数指标范围。当场截止层掺杂浓度为1E17cm-3时，器件击穿电压1326V，满足击穿电参数指标要求。因此，场截止层掺杂浓度选择为1~2×1017cm-3。当N场截止层掺杂浓度一定时，随着场截止层厚度的降低，一定栅压下的集电极-发射极电流略有增大。
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