（1）DMOS结构
（2）反向恢复特性（反向恢复失效），Vdrain=1000V
（3）反向恢复特性，Vdrain=500V
3.1 IRRM&TL&trr
3.2 IRRM&trr&VDrain
3.2 VSource&VDrain
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结构参数为：采用平面栅、槽型源区结构，单胞为条形，单胞半宽度为10μm，多晶硅区半宽度（LP）为7μm，窗口区半宽度（LW）为3μm，沟道长度0.92μm。N型外延层晶向为<100>，厚度为7μm，掺杂浓度为1×1015cm-3，外延层少子寿命为0.1μs。P体区结深为1.81μm，沟道表面平均浓度1.5×1017cm-3。N+源区结深为0.48μm，表面浓度为3.5×1019cm-3。栅氧化层厚度为60nm，多晶硅栅厚度为0.35μm，多晶硅栅极集成防静电二极管，多晶硅防静电二极管PN结两侧杂质浓度由N+源区、P体区杂质横向扩散浓度决定。源极引线孔半宽度为2.5μm，源区槽深度为0.8μm。器件面积为2.7×2.2mm2。
在体二极管续流过程中，功率MOS管内部积累了大量的少数载流子。在功率MOS管反向恢复过程中（该阶段为器件失效的主要阶段），器件内部积累的少数载流子，将以单股大电流的形式从芯片“薄弱”位置处的元胞流出。在该反向恢复阶段，功率MOS管漏源电压迅速增加（dV/dt较高），器件同时承受高电压和大电流，在“薄弱”元胞形成高功率区域，导致该区域温度升高。随着温度的升高，功率MOS管内寄生三极管基区的电阻增大，内建电势降低，由较大的位移电流和反向恢复电流可触发寄生三极管开启，电流发生倍增效应，从而导致器件薄弱区域烧毁。为减小功率MOS管反向恢复损耗，需要降低寄生二极管反向恢复电荷。
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