TI DSP编程技巧之答疑解惑


欢迎加入技术交流QQ群(2000人):电力电子技术与新能源 1105621549


高可靠新能源行业顶尖自媒体


在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验,欢迎关注微信公众号:电力电子技术与新能源(Micro_Grid),论坛:www.21micro-grid.com,建立的初衷就是为了技术交流,作为一个与产品打交道的技术人员,市场产品信息和行业技术动态也是必不可少的,希望大家不忘初心,怀有一颗敬畏之心,做出更好的产品!

 

电力电子技术与新能源论坛

www.21micro-grid.com


小编推荐值得一看的书单


  • 电动汽车车载充电机与车载DCDC转换器及充电桩

  • 电动汽车充电桩电气、硬件、软件技术解析

  • 充电桩模块电路

  • Delta_OBC双向充电_High-Efficiency High-Density GaN-Based 6.6kW

  • [氮化镓]3.3-6.6KW汽车车载充电机充电桩原理及设计

  • 6.6KW Bi-Directional EV On-Board Charger_Design_File

  • 3KVA UPS 硬件学习

  • UPS IGBT PFC整流器

  • [施耐德]无变压器结构的UPS技术

1、 虽然可用的存储空间看起来比section的长度要大,但是链接器为何提示“placement fails for object”?

这种情况一般是因为段的空间的分配是并不是我们想象中的连续的一个紧挨一个,而是被编译器给“分块”管理了。在内存地址分配时,一个段需要完全适配到页(page)中,或者从页的边界开始连续分配;为了满足这个要求,段在分配到页中时,可能无法完全利用某些页,导致内存地址中产生了间隙(hole),使得实际所需要的内存空间超过了根据变量大小计算出来的理论值。编译器这样做的目的是为了优化数据页(DP)寄存器的加载,达到减小代码尺寸和优化程序性能的目的。例如,针对一个数组,如果数组的长度小于64字(words),则编译器仅需安全地加载DP一次就可以访问数组的全部元素;如果数组长度大于64字,则在访问每64字的数组元素时,编译器仅需加载一次DP,当然如果访问多个64字的数组元素则仍需要多次加载DP。

举例说明:

在cmd里定义:

RAMM1 : origin = 0x000400, length = 0x000400 /* on-chip RAM block M1 */

commbuf : > RAMM1 PAGE = 1

在main.c里定义以下几个变量

#pragma DATA_SECTION(sendT, "commbuf")

Uint16 sendT[260];

#pragma DATA_SECTION(receT, "commbuf")

Uint16 receT[260];

#pragma DATA_SECTION(CntPPR, "commbuf")

Uint32 CntPPR[250];

表面上共需260+260+250*2=1020,commbuf正好放得下.但ccs提示空间不够:

(run placement fails for object "commbuf", size 0x474 (page 1).

Available ranges: RAMM1 size: 0x400 unused: 0x400 max hole: 0x400)

产生错误的原因是根据DP加载的原则,page被划分为64word的小单元,而数组被存储在连续的、整块的单元上,未使用到的空间不会再分配给其它数组或者变量使用。所以16位260长度的数组实际占用了64*5=320 (64*4=256<260),32位500的长度实际占用了64*8=512,占用的总长度为:320*2+512=1152=0x480。

按照CCS的提示,commbuf占用空间是320*2+500=1140=0x474,但是事实上32位数组占据的最后那个page已经无法被别的变量使用了,所以如果还有新的变量出现的话,会提示RAMM1块缺少的地址更多。

根据我们的需要,可以在每次之间内存读取操作之前都加载DP,这样就可以禁用上面的“分块”管理特性了。这样做虽然可以减小内存地址空间中的“间隙”,但是每一次访问内存都需要加载DP,反而大大地增加了代码的尺寸,实在是得不偿失(看起来很少有人会这么做)。我们可以通过启用编译器的-disable_dp_load_opt,或者叫-md选项来实现这一方法。

确认某个段是否被编译器给分块管理的方法就是使用.bss和.usect指令。

2、 链接器提示“placement fails for object '.text'”,我们如何为.text分配更多的内存?

.text段中包含包含所有可执行的代码,以及编译器编译产生的常量。如果我们的代码比较大,超过了cmd文件中默认分配的空间,则.text无法适配到内存空间中,就会产生上面的错误。通常有三种方法可以来为其分配更多的空间。

方法一:修改cmd

方法二:分割.text,把它平均分配到多个内存区域中

这个方法比较直观,前提是几个内存区域的总长度要满足要求。例如:

.text : >> FLASHA | FLASHC | FLASHD, PAGE = 0

方法三:完整分割法

这个名字有点古怪,它本质仍然是把.text分割,目标区域也可以有多个,但是当第一个区域就满足要求时,则只把它分配到第一个区域中,剩余的目前区域实际上未被使用到。

在实际编程实现时,这些方法仍然存在一定的限制,包括:

1. 在包含控制加速器CLA 的Piccolo器件中,只有特定的内存区域可被CLA所使用。

2. 在含有DMA的器件中,并不是所有的内存都可被DMA所访问。

3. 一般情况下,SRAM都是单个机器周期内只能访问一次,但是0等待状态的。但在一些器件中,程序内存控制是包含等待状态的,例如在某些2833x器件中,DMA可访问的数据空间是0等待状态的,但是程序控制是1等待状态的。这些SRAM空间更适合纯数据访问类型的使用。

3、在cmd文件中,可以把连续的Flash模块组合为一个整体的区间吗?

答案是可以的。在Flash的烧写中,可以在同一时间被烧写的Flash的最小长度被称为扇区(sector),所以通过把我们的代码进行分区烧写,就可以把它们对齐到扇区。

Flash模块结合的方法一:直接合并法

以把两个Flash扇区组合为一个段为例:

合并前,两个扇区的定义是:

MEMORY

{

//

// Individual sectors E and F called out in the MEMORY description

//

...

FLASHF : origin = 0x310000, length = 0x008000 /* on-chip FLASH */

FLASHE : origin = 0x318000, length = 0x008000 /* on-chip FLASH */

...

}

合并之后的Flash区间为:

MEMORY

{

//

// Sectors E and F merged into one in the MEMORY description

//

...

FLASH : origin = 0x310000, length = 0x010000 /* on-chip FLASH F & FLASH E */

...

}

方法二:反其道行之,把段分配到多个Flash模块中,与问答36的方法二是一致的,例如:

SECTIONS

{

.text: { *(.text) } >> FLASHE| FLASHH

}

4、 在cmd文件中,可以把相邻的SARAM模块组合为一个整体的区间吗?

答案是可以的,方法与Flash组合的方法一样。

虽然这样做是完全没有问题的,但需要牢记SARAM模块都是单个机器周期内只能访问一次的,所以为了优化程序的性能,最好把代码给分区到不同的物理SARAM模块中,这样可以减少大量读/写操作中的资源冲突。

5、对于DSP/BIOS的工程,如何了解链接的信息?

DSP/BIOS 的配置工具生成一个cmd文件,规定如何连接所有 DSP/BIOS 生成的程序段,并且默认链接至所有 C/C++ 语言编译程序生成的程序段。当从 RAM 运行程序时,可能只需要这一个cmd文件就够了。但在当从Flash中执行时,很有可能需要生成且连接一个或多个自定义的程序段。

说明:本文来源网络;文中观点仅供分享交流,不代表本公众号立场,转载请注明出处,如涉及版权等问题,请您告知,我们将及时处理。

Please clik the advertisement and exit

重点

如何下载 《华为软件编程规范总则(C语言,C++,JAVA)》高清PDF电子书


点击文章底部阅读原文,访问电力电子技术与新能源论坛(www.21micro-grid.com)下载!


或者转发文章到朋友圈,然后截图发给小编(微信1768359031),小编将文章发你!


- END -

合作请联系

微信号(QQ号)1768359031



推荐阅读点击标题阅读

LLC_Calculator__Vector_Method_as_an_Application_of_the_Design

自己总结的电源板Layout的一些注意点

High_Frequency_Transformers_for_HighPower_Converters_Materials

华为电磁兼容性结构设计规范V2.0

Communication-less Coordinative Control of Paralleled Inverters

Soft Switching for SiC MOSFET Three-phase Power Conversion

Designing Compensators for Control of Switching Power Supplies

100KHZ 10KW Interleaved Boost Converter with full SiC MOSFET

华为-单板热设计培训教材

看完有收获?请分享给更多人


公告:

限于篇幅,已做删减,获取原文,加小编微信号(QQ号)1768359031,请注明研究方向或从事行业(比如光伏逆变器硬件)小编对电力电子技术与新能源及微电网的市场发展很看好,对其关键技术很感兴趣,如有技术问题,欢迎加小编微信,共同讨论。另,本公众号也有微信群,如有需要,也可加小编微信号,谢谢!


更多精彩点下方“阅读原文”

      点亮“在看,小编工资涨1毛!

电力电子技术与新能源 电力电子技术,交直流微电网,光伏并网逆变器,储能逆变器,风电变流器(双馈,直驱),双向变流器PCS,新能源汽车,充电桩,车载电源,数字电源,双向DCDC,锂电池,超级电容,燃料电池,能量管理系统以及APF,SVG ,UPQC等
评论
  • 1,微软下载免费Visual Studio Code2,安装C/C++插件,如果无法直接点击下载, 可以选择手动install from VSIX:ms-vscode.cpptools-1.23.6@win32-x64.vsix3,安装C/C++编译器MniGW (MinGW在 Windows 环境下提供类似于 Unix/Linux 环境下的开发工具,使开发者能够轻松地在 Windows 上编写和编译 C、C++ 等程序.)4,C/C++插件扩展设置中添加Include Path 5,
    黎查 2025-02-28 14:39 100浏览
  • 一、VSM的基本原理震动样品磁强计(Vibrating Sample Magnetometer,简称VSM)是一种灵敏且高效的磁性测量仪器。其基本工作原理是利用震动样品在探测线圈中引起的变化磁场来产生感应电压,这个感应电压与样品的磁矩成正比。因此,通过测量这个感应电压,我们就能够精确地确定样品的磁矩。在VSM中,被测量的样品通常被固定在一个震动头上,并以一定的频率和振幅震动。这种震动在探测线圈中引起了变化的磁通量,从而产生了一个交流电信号。这个信号的幅度和样品的磁矩有着直接的关系。因此,通过仔细
    锦正茂科技 2025-02-28 13:30 78浏览
  • 更多生命体征指标风靡的背后都只有一个原因:更多人将健康排在人生第一顺位!“AGEs,也就是晚期糖基化终末产物,英文名Advanced Glycation End-products,是存在于我们体内的一种代谢产物” 艾迈斯欧司朗亚太区健康监测高级市场经理王亚琴说道,“相信业内的朋友都会有关注,最近该指标的热度很高,它可以用来评估人的生活方式是否健康。”据悉,AGEs是可穿戴健康监测领域的一个“萌新”指标,近来备受关注。如果站在学术角度来理解它,那么AGEs是在非酶促条件下,蛋白质、氨基酸
    艾迈斯欧司朗 2025-02-27 14:50 363浏览
  • 在物联网领域中,无线射频技术作为设备间通信的核心手段,已深度渗透工业自动化、智慧城市及智能家居等多元场景。然而,随着物联网设备接入规模的不断扩大,如何降低运维成本,提升通信数据的传输速度和响应时间,实现更广泛、更稳定的覆盖已成为当前亟待解决的系统性难题。SoC无线收发模块-RFM25A12在此背景下,华普微创新推出了一款高性能、远距离与高性价比的Sub-GHz无线SoC收发模块RFM25A12,旨在提升射频性能以满足行业中日益增长与复杂的设备互联需求。值得一提的是,RFM25A12还支持Wi-S
    华普微HOPERF 2025-02-28 09:06 101浏览
  •           近日受某专业机构邀请,参加了官方举办的《广东省科技创新条例》宣讲会。在与会之前,作为一名技术工作者一直认为技术的法例都是保密和侵权方面的,而潜意识中感觉法律有束缚创新工作的进行可能。通过一个上午学习新法,对广东省的科技创新有了新的认识。广东是改革的前沿阵地,是科技创新的沃土,企业是创新的主要个体。《广东省科技创新条例》是广东省为促进科技创新、推动高质量发展而制定的地方性法规,主要内容包括: 总则:明确立法目
    广州铁金刚 2025-02-28 10:14 90浏览
  • RGB灯光无法同步?细致的动态光效设定反而成为产品客诉来源!随着科技的进步和消费者需求变化,电脑接口设备单一功能性已无法满足市场需求,因此在产品上增加「动态光效」的形式便应运而生,藉此吸引消费者目光。这种RGB灯光效果,不仅能增强电脑周边产品的视觉吸引力,还能为用户提供个性化的体验,展现独特自我风格。如今,笔记本电脑、键盘、鼠标、鼠标垫、耳机、显示器等多种电脑接口设备多数已配备动态光效。这些设备的灯光效果会随着音乐节奏、游戏情节或使用者的设置而变化。想象一个画面,当一名游戏玩家,按下电源开关,整
    百佳泰测试实验室 2025-02-27 14:15 132浏览
  • 在2024年的科技征程中,具身智能的发展已成为全球关注的焦点。从实验室到现实应用,这一领域正以前所未有的速度推进,改写着人类与机器的互动边界。这一年,我们见证了具身智能技术的突破与变革,它不仅落地各行各业,带来新的机遇,更在深刻影响着我们的生活方式和思维方式。随着相关技术的飞速发展,具身智能不再仅仅是一个技术概念,更像是一把神奇的钥匙。身后的众多行业,无论愿意与否,都像是被卷入一场伟大变革浪潮中的船只,注定要被这股汹涌的力量重塑航向。01为什么是具身智能?为什么在中国?最近,中国具身智能行业的进
    艾迈斯欧司朗 2025-02-28 15:45 160浏览
  • 美国加州CEC能效跟DOE能效有什么区别?CEC/DOE是什么关系?美国加州CEC能效跟DOE能效有什么区别?CEC/DOE是什么关系?‌美国加州CEC能效认证与美国DOE能效认证在多个方面存在显著差异‌。认证范围和适用地区‌CEC能效认证‌:仅适用于在加利福尼亚州销售的电器产品。CEC认证的范围包括制冷设备、房间空调、中央空调、便携式空调、加热器、热水器、游泳池加热器、卫浴配件、光源、应急灯具、交通信号模块、灯具、洗碗机、洗衣机、干衣机、烹饪器具、电机和压缩机、变压器、外置电源、消费类电子设备
    张工nx808593 2025-02-27 18:04 94浏览
  •         近日,广电计量在聚焦离子束(FIB)领域编写的专业著作《聚焦离子束:失效分析》正式出版,填补了国内聚焦离子束领域实践性专业书籍的空白,为该领域的技术发展与知识传播提供了重要助力。         随着芯片技术不断发展,芯片的集成度越来越高,结构也日益复杂。这使得传统的失效分析方法面临巨大挑战。FIB技术的出现,为芯片失效分析带来了新的解决方案。它能够在纳米尺度上对芯片进行精确加工和分析。当芯
    广电计量 2025-02-28 09:15 89浏览
  • 应用趋势与客户需求,AI PC的未来展望随着人工智能(AI)技术的日益成熟,AI PC(人工智能个人电脑)逐渐成为消费者和企业工作中的重要工具。这类产品集成了最新的AI处理器,如NPU、CPU和GPU,并具备许多智能化功能,为用户带来更高效且直观的操作体验。AI PC的目标是提升工作和日常生活的效率,通过深度学习与自然语言处理等技术,实现更流畅的多任务处理、实时翻译、语音助手、图像生成等功能,满足现代用户对生产力和娱乐的双重需求。随着各行各业对数字转型需求的增长,AI PC也开始在各个领域中显示
    百佳泰测试实验室 2025-02-27 14:08 238浏览
  • 振动样品磁强计是一种用于测量材料磁性的精密仪器,广泛应用于科研、工业检测等领域。然而,其测量准确度会受到多种因素的影响,下面我们将逐一分析这些因素。一、温度因素温度是影响振动样品磁强计测量准确度的重要因素之一。随着温度的变化,材料的磁性也会发生变化,从而影响测量结果的准确性。因此,在进行磁性测量时,应确保恒温环境,以减少温度波动对测量结果的影响。二、样品制备样品的制备过程同样会影响振动样品磁强计的测量准确度。样品的形状、尺寸和表面处理等因素都会对测量结果产生影响。为了确保测量准确度,应严格按照规
    锦正茂科技 2025-02-28 14:05 117浏览
我要评论
0
点击右上角,分享到朋友圈 我知道啦
请使用浏览器分享功能 我知道啦