2019年6月20日，上海证券交易所科创板股票上市委员会2019年第7次审议会议结果公司显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司获得发行上市（首发）资格。
中微公司成立于2004年，聚焦集成电路领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和LED芯片领域用薄膜沉积（MOCVD）设备等关键设备的研发、生产和销售。
2019中微在全球晶圆制造设备供应商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment）中排名第三，在客户合作方面获得了客户的高度评价；在十大芯片制造设备专业型供应商（10 BEST Focused Suppliers of Chip Making Equipment）和专用芯片制造设备供应商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）中均位列第二。这是中微连续第二年在VLSI Research举办的“客户满意度”调查和评比中上榜。之前的2018年“客户满意度”调查和评比中，中微综合评分为全球第三；在单项设备评比中，等离子体刻蚀设备名列第二，薄膜沉积设备名列第一。“客户满意度”奖项的获得，充分展现了公司产品全球领先的竞争力和市场认可度。
一、主要产品
公司主要有两大产品，一是刻蚀设备，二是薄膜沉积设备。下面我们就来先说说这两大类产品。
1、刻蚀设备
中微公司首先开发甚高频去耦合等离子体刻蚀（CCP）设备，2007年推出双反应台Primo D-RIE，适用于65-16纳米工艺节点；2011年推出双反应台Primo AD-RIE，适用于45-7纳米工艺节点；2013年推出单反应台Primo SSC AD-RIE，适用于45-7纳米工艺节点；并满足16 纳米以下 2D 闪存芯片制造；2016年推出Primo SSC HD-RIE，满足64层及以上的3D闪存芯片制造；2017年推出Primo AD-RIE-e，适用于7纳米工艺节点，目前进入台积电5纳米产线。目前已经推出三代CCP刻蚀设备可以涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米和 5纳米工艺节点。公司正在开发 96 层及更先进的3D闪存芯片刻蚀设备和工艺。
2010年成功开发电感等离子体深硅刻蚀设备Primo TSV，采用双腔设计，支持12英寸和8英寸无缝切换，同时兼容硅和氧化硅刻蚀，兼容硅和玻璃衬底，主要应用于包括先进封装、CMOS 图像传感器、MEMS、功率器件和等离子切割等。继Primo TSV200E进入先进系统封装、2.5维封装和微机电系统芯片的生产线后，2012年3月推出Primo TSV300E，Primo TSV300E可以和中微的Primo D-RIE蚀刻设备灵活结合，混合配置出具备在同一平台进行等离子体刻蚀和TSV硅穿孔刻蚀能力的设备，带来了技术最优化和成本的竞争优势。
2016年成功开发单反应台电感耦合等离子体刻蚀（ICP）设备Primo nanova刻蚀设备，并同时开发双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备，主要涵盖14纳米工艺节点以下的逻辑电路和19纳米以下存储器件和3D闪存芯片制造。Primo nanova不仅能够用于多种导体刻蚀工艺，比如浅沟槽隔离刻蚀（STI）、多晶硅栅极刻蚀；还可用于介质刻蚀，如间隙壁刻蚀（Spacer Etch）、掩模刻蚀（Mask Etch）、回刻蚀（Etch Back）等，并且既可以用于刻蚀垂直深孔，也可以用于刻蚀浅锥形轮廓。Primo nanova以独特的四方形主机、可配置六个刻蚀反应腔和两个除胶反应腔，独特的技术创新使其具有业界领先的生产效率和卓越的晶圆内加工性能。
中微刻蚀设备的主要客户有代工厂商台积电、中芯国际、联电、华力微电子、格芯半导体，存储芯片公司SK海力士、长江存储、华邦电子，封装公司晶方科技，以及IDM公司博世、意法半导体等。
全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，泛林半导体（LAM）、东京电子（TELP）、应用材料（AMAT）占据90%以上的市场份额。
中微公司的等离子体刻蚀设备已广泛应用于国际先进的14纳米、7纳米和5纳米生产线，截至2018年末，中微公司累计已有1100多个反应台服务于国内外40余条先进芯片生产线。公司在国内刻蚀设备市场中有突出市场竞争力，中微公司在近期两家国内知名存储芯片制造企业采购的刻蚀设备台数订单份额都超过15%。
2、薄膜沉积设备
薄膜沉积设备（MOCVD）是一种高端薄膜沉积设备，主要用于蓝绿光LED和功率器件等生产加工，是LED器件加工中最关键的设备。
2010 年中微公司开始开发MOCVD设备，目前公司已开发完成了三代产品，包括2013年推出的第一代设备Prismo D-Blue、2017年推出第二代设备Prismo A7，正在开发第三代更大尺寸设备。
短短9年的时间，中微从几乎为零的国内市场占有率到一举实现超过70%的市场占有率，彻底打破了美国维科（Veeco）和德国爱思强（Aixtron）两家供应商长期垄断市场的局面。
中微薄膜沉积设备主要客户包括三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电。
公司正在研发UVC紫光LED用薄膜沉积设备，将为公司的带来后续增长点。
二、强化创新研发，严控知识产权
公司董事长兼总经理尹志尧博士曾表示，要开发具有核心竞争力产品的企业研发投入一般要占销售很高的比例，而且规模越小的企业，研发投入的比例越高。
公司瞄准世界科技前沿，坚持技术和产品的持续创新，报告期内始终保持大额的研发投入并逐年增长。2016至2018年研发投入分别为30242.66万元、33,043.57万元和40,408.78万元，占各年度营业收入的比例分别 49.62%、34.00%和24.65%。
自2004年公司设立至2019年2月末，公司申请了1201项专利，其中发明专利1038项，海外发明专利465项；已获授权专利951项，其中发明专利800项。
公司非常重视知识产权和保密信息的保护，也尊重包括客户、竞争对手、供应商在内的任何第三方的专有信息及知识产权，并专门成立了独立的知识产权部门和知识产权委员会。
尹志尧博士表示，首先，从竞争者、客户和供应商转到中微工作的员工必须签署严格的保密协定，宣誓不带任何原公司文件和资料，不透露任何原公司技术和商业机密；其次，在开发设备产品时，深入调查和研究对手、客户和供应厂商的3000多个相关的专利，确认有多少专利是无效的，哪些是不可逾越的；再次，公司开发的设备产品和工艺的同时，申请了1200多个专利，使自己的知识产权建筑在能够自我保护的基础上；第四，要在早期就研究和明确的知道，如果对手向我们进攻，最可能的方向和针对的专利，公司要如何防范，并能及时有力的应对和反击。
15年来，美国应用材料、泛林研发、维科三大半导体设备公司轮番对中微发起了商业机密和专利侵权的法律诉讼，意欲遏制中微的发展。于是从2007至2018年引发了国际维权四大战役。
2007年10月，应用材料公司在美国联邦法院北加州地区法院以商业秘密侵权为由起诉中微亚洲、中微开曼及尹志尧等人，并于2007年11月改为起诉中微开曼、中微亚洲和中微有限。2009年11月，中微有限向上海市第一中级人民法院以不正当竞争为由起诉应用材料和应用材料（中国）有限公司。2010年1月，应用材料与中微开曼、中微亚洲、中微有限达成和解，双方随后撤销起诉。
2009年1月，泛林半导体以中微国际台湾分公司侵犯其发明专利为由向台湾智慧财产法院提起诉讼，并于2009年4月申请追加中微有限、尹志尧、朱新萍为共同被告。2009年9月，台湾智慧财产法院认为泛林半导体主张的专利权不具有新颖性、进步性，驳回泛林半导体诉讼请求。2009年至2012年期间，泛林半导体分别向台湾智慧财产法院和台湾最高法院提起上诉，均被驳回。
2009年2月，中微国际台湾分公司向台湾智慧财产局提出举发，主张泛林半导体案的两件涉诉专利无效。2011年1月、2012年3月，台湾智慧财产局分别宣告泛林半导体案涉诉专利无效。2011年至2012年期间，针对专利无效决定，泛林半导体分别向台湾经济部、台湾智慧财产局、台湾最高行政法院提出诉愿和行政诉讼，均被驳回。
2010年12月中微向上海市第一中级人民法院提起诉讼，主张科林研发侵犯中微的商业秘密。具体而言，中微主张科林研发非法获取中微机密的技术文件和机密的反应腔内部照片。历时6年多，2017年3月27日作出的判决中，法院判决科林研发销毁其非法持有的照片，禁止科林研发和其员工披露、使用或允许他人使用中微的技术秘密，并要求科林研发赔偿中微法律费用90万元人民币。2017年4月，双方分别提起上诉，目前该案正在二审审理中。
2017年4月，维科在纽约东区的联邦法院对中微MOCVD设备的晶圆承载器 (石墨托盘)供应商西格里碳素（SGL）展开了专利侵权诉讼。维科认为，西格里碳素为中微半导体设计的石墨托盘侵犯了其专利, 要求禁止西格里碳素向中微供货，并赔偿巨额损失。美国法院支持了维科的诉讼请求，禁止了西格里碳素向中微供货。2017年7月，中微在福建高院起诉维科上海 ，指控其TurboDiskEPIK 700型号的MOCVD设备侵犯了中微的晶圆承载器同步锁定的中国专利，申请对维科上海发布永久禁令并赔偿经济损失1亿元以上。2018年初，中微向上海海关提出扣留侵权嫌疑货物的申请，上海海关及时启动知识产权海关保护程序，在进口环节开展行政执法，根据权利人申请，暂停涉嫌侵权设备的通关。最后经过谈判，中微与维科、西格里碳素三方最终达成全球范围相互授权的和解协议。
公司在与泛林半导体、应用材料、维科的商业秘密和专利诉讼中均达成和解或胜诉，以事实结果证明了公司扎实的自主知识产权基础和应对国际复杂知识产权挑战的能力，为公司的健康发展提供了有力保障，也为我国其他设备供应商应对专利诉讼提供了范本。
三、未来规划
公司目前开发的产品以集成电路前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等关键设备为主，并已逐步开发应用于后道先进封装、MEMS、Mini LED、Micro LED等领域的泛半导体设备产品。未来，公司将在适当时机通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖，并继续探索核心技术在国计民生中创新性的应用。
目前，全球集成电路产业正在向中国转移，中国把发展集成电路产业视作国家战略，在此大好机遇下，我们期待中微成为一个领先全球的半导体装备制造的企业。
