LED原理与基本光电性能参数

秦岭农民 2021-04-06 00:00

1 LED原理


LED发光二极管(Light Emitting Diode LED)是一种利用半导体制造技术加工的电致发光器件,利用电子-空穴的带间跃迁辐射符合来发光。其机理是通过向LED的p-n结施加正向偏压,降低势垒,使少数非平衡载流子扩散进入p-n结区内,增加区内电子-空穴符合几率,少数载流子与多数载流子不断符合,可以以光的形式把多余的能量释放出来,继而使电能转换为光能,从而辐射发光。如下图PN结发光原理。这种现象需要在LED结两边外加电场,从而产生电流,而激发载流子注入,完成电能直接转变为光能的过程。

图1 LED发光原理

LED在正向工作状态下,电流从阳极流向阴极,半导体PN结会发出不同颜色的光线,从紫外线到红外线,电子和空穴之间的带隙宽度越大,能量就越大,产生的光子能量也就越高。由于材料不同,所具有的带隙就不同,所以选择不同带隙宽度的材料,既能制作出不同颜色的LED。

图1 III族氮化物(AlN、GaN和InN及其合金材料)的晶格常数,合金组分,禁带宽度及其带边发射波长之间的相互关系

如图1 III族氮化物具有直接带隙的特性,在室温下其禁带宽度分别为6.03eV、3.42eV和0.7eV,图1为III族氮化物的晶格常数,合金组分,禁带宽度及其带边发射波长之间的相互关系。其三元合金的能带宽度可以从AlN的6.03eV到GaN的3.42eV到InN的0.7eV之间的连续调节,相应的波长范围覆盖深紫外(210nm)到红外(1.8um)波段,使其再光电器件中具有广泛的应用。例如发光二极管(LED)激光器(LD)探测器(PD),太阳能电池以及光电调制器等领域。

2紫外LED器件结构

下图为发光波长为280nm的AlGaN基DUV LED的典型外延结构。主要包括:在平面蓝宝石衬底上外延生长的1um的高温AlN模板层,10-20个周期的应变管理的AlGaN/AlN超晶格结构。2-3um的Si参杂Al0.55Ga0.55N的n型接触层,5个周期Al0.5Ga0.5N/Al0.4Ga0.6NMQWs 有源区,20nmMg 掺杂Al0.4Ga0.6N电阻阻挡层(EBL),p+-GaN(100nm)/p-AlGaN的空穴注入层。

图2 280nmAlGaN基LED典型的外延结构示意图

3 LED的光学性能

3.1 发光效率

发光效率,是单位电功率(W)下输出的光通量(Lm)

式中,I,V分别为器件的直流偏置电流和电压;Pe为输入的电功率;F为上述偏置条件下器件输出的总光通量。

功率效率是器件将输入功率Pe(W)转变成辐射功率P(W)的效率。显然

3.3 量子效率

量子效率是注入载流子复合产生;由于内吸收和外反射的原因,产生的光量子不能全部射出。因此,量子效率又分为内量子效率 和外量子效率。而除包括外还包括注入效率和光初涉效率(又称光学效率)。这些效率之间具有如下关系

3.4 光通量

光源在单位时间内发出的光量,单位为流明(Lm),描述了光源发光总量的大小,表明了发光器件的性能。

3.5 发光强度I

发光强度是表征发光器件发光强弱的重要性能,它是光源在指定方向上的一个某立体角单元dΩ内所包含的光通量dΦ ,单位为坎德拉(cd)。

3.6 光照度E

在接收面上,单位面积内的光通量成为照度,单位为勒克斯(lx)

3.7 光出射度M

在发光体表面,不同位置上的发光程度可能不同,光出射度是指单位面积发出的光通量,物理上的定义是在发光体表面上任取微小单元面积dA下接收到的光通量dΦ,用M表示,单位为Lm/m2。

3.8光亮度L

在给定方向上单位投影面积的面光源沿此方向的发光强度。可用下式表示

4 LED的电学性能

 4.1 I-V特性

伏安特性表征LED芯片PN结制备性能的主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质(单向导电性,即外加正偏压表现低接触电阻,反之为高接触电阻)如下图:

图4 LED I-V特性曲线

A点,为开启电压Vt,AB段为正向工作区,OC段为反向特性区又称为死区,CD段为反向击穿区。从图上可以看到在正向电压小于开启电压阈值时,正向电流极小,不发光,当电压超过阈值开启电压后,正向电流随电压迅速增加。

4.2 P-I特性

LEDP-I曲线基本上是一条近似的线性直线,只有当电流过大时,由于PN结发热产生饱和现象,使P-I曲线的斜率减小。

图4 LED与LD的P-I特性曲线

在结构上,由于LEDLD相比没有光学谐振腔。因此,LDLED的功率与电流的P-I关系特性曲线则有很大的差别。

5 热学特性

若环境温度较高,LED 的主波长或λp 就会向长波长漂移,寿命也会下降,尤其是点阵、大显示屏的温升对LED 的可靠性、稳定性影响应专门设计散射通风装置。LED的主波长随温度关系可表示为

由式可知,每当结温升高10℃,则波长向长波漂移1nm,且发光的均匀性、一致性变差。这对于作为照明用的灯具光源要求小型化、密集排列以提高单位面积上的光强、光亮度的设计尤其应注意用散热好的灯具外壳或专门通用设备、确保LED 长期工作。


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