开通延迟时间：10％UGE~10％IC
开通上升时间：10％IC~90％IC
关断延迟时间：90％UGE~90％IC
关断下降时间：90％IC~10％IC
拖尾时间：10％IC~2％IC
开通能量时间宽度：TEon=10％IC~2％UCE
关断能量时间宽度：TEoff=10％UCE~2％IC
反向恢复能量时间宽度：TErec=10％UR~2％IRM
例如：1200VIGBT模块
1、最大集射级电压（VCES）：1200V
2、集电极最大饱和电流（IC（NOM）：200A【TC=60℃，TVJ=175℃】
3、开通延迟时间（Td on）：0.45 us【最大值，150℃】
4、上升时间（Tr）：0.12 us【最大值，150℃】
5、关断延迟时间（Td off）：1.26 us【最大值，150℃】
6、下降时间（Tf）:0.54 us【最大值，150℃】
7、集电极重复峰值电流（ICRM）：≥400A【Tp=1ms】
8、集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤1.95V
9、栅极阈值电压（VGE(th)）：≤6.4V
10、二极管正向压降（VF）：≤2.2V
11、开启能量损耗（EON）：
≤10.5mJ（Tvj=25℃），≤18.5mJ（Tvj=125℃）, ≤20.5mJ（Tvj=150℃）
【IC=200A、VCE=600V、Ls=30nH、VGE=±15V、di/dt=5400 A/μs（Tvj=150℃）、RGon=1.1Ω时】
12、关断能量损耗（EOFF）
≤11.0mJ（Tvj=25℃），≤16.5mJ（Tvj=125℃）, ≤18.5mJ（Tvj=150℃）
【IC=200A、VCE=600V、LS=30nH、VGE=±15V、du/dt=5000 V/μs（Tvj=150℃）、RGon=1.1Ω】
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