英飞凌1700V CoolSiC™ MOSFET在光伏辅助电源上的应用

引言

随着“3060”碳中和目标的提出,一时间光伏发电行业引起了社会的广泛关注。光伏逆变器是光伏发电中至关重要的设备,承担着电池板功率控制(MPPT)以及直流交流转换(DC/AC)的重任。每一台光伏逆变器,都有一套或者两套辅助电源默默的“点亮”控制和驱动电路。对于几十kW以下的户用单相机或者小三相机,一般一套几十瓦的辅助电源就可以满足要求。而对于最近比较火爆的用于1500V地面电站的200kW plus的组串式逆变器,则需要两套150W~200W的辅助电源,一套位于直流侧承担着主要的供电任务,一套位于交流测担负着PID修复以及后备供电任务。辅助电源在光伏逆变器中默默的工作,低调的存在,但是却不可或缺。下面我们就一起来揭开光伏辅助电源的神秘面纱。


一、辅助电源拓扑结构


一般来说1100Vdc的组串式逆变器的辅助电源会采用单端反激的拓扑,如图1所示:


图1.应用于1100Vdc光伏逆变器的辅助电源拓扑


对于1500Vdc的组串式逆变器,由于现有功率器件电压等级的限制,光伏的辅助电源比较多采用的拓扑是双端反激拓扑。如图2所示:


图2.应用于1500Vdc光伏逆变器的辅助电源拓扑


无论那种拓扑都离不开核心的功率器件,即1700V MOSFET。众所周知,组串式逆变器的辅助电源对体积、效率、成本都有着很高的要求。因此功率器件的选型就成了关键。


二、英飞凌1700V SiC MOSFET在光伏辅助电源中的应用优势


如图3所示,三种不同MOSFET的辅助电源效率与输入电压的关系曲线。可以看到,SiC MOSFET的效率会比Si MOSFET高2.5%以上。更高的效率同时也意味着更少的散热上的投入,更小的体积。另外,SiC器件可以工作到更高的开关频率,更高的开关频率可以进一步降低无源器件的尺寸。鉴于目前光伏辅助电源的开关频率都在60kHz以上,采用1700V的SiC MOSFET就成了不二的选择。


图3.1700V SiC MOS与Si MOS的效率对比


英飞凌推出的1700V 450/650/1000的CoolSiC™ MOSFET系列可以满足客户不同功率段的应用要求(详细产品信息可点击:新品 | 采用D2PAK-7L封装的1700V CoolSiC™ MOSFET,辅助电源的理想搭档。该产品采用经典的D2PAK-7L封装,实物如图4所示。


图4.英飞凌1700V CoolSiC™ MOSFET实物图


作为一款辅助电源应用的主推产品,其主要的优势如下:


1.更高的电气间隙和爬电距离


D2PAK-7L封装电气间隙和爬电距离为7.1mm,如图5所示。根据IEC60664-4标准,如图6所示7.1mm的电气间隙可以满足>1800V的峰值电压的要求。而传统的TO247封装只能满足~1400V峰值电压的要求。


图5.D2PAK-7L封装与传统TO247封装爬电距离对比


图6.IEC60664-4的电气间隙要求


2.可以直接通过控制器来驱动,省掉了驱动电路


图7所示,IMBF170R1K0M1的推荐门级驱动正电压为12~15V,负电压为0V。更重要的是该产品的门级电荷非常小,Qg仅为5nF,对控制芯片的带载能力的要求很低。另外,12~15V的电压也在控制芯片I/O口的输出范围之内,因此可以采用控制芯片的I/O口直接进行驱动。现在市场上主流的控制芯片的都可以满足该要求。


图7.IMBF170R1K0M1的推荐门极驱动电压


3.贴片封装,紧凑设计,提高生产安装效率


经典的D2PAK-7L贴片封装,支持回流焊。普通的TO247封装,作为一种直插的封装,还需要多一次波峰焊。另外,TO247封装需要涂抹导热硅脂,需要绝缘垫片以及散热器。相对于PCB散热,其安装方式较为复杂,成本也较高。最后,由于贴片封装尺寸较小,节约了宝贵的PCB的空间。尤其适用于一些对电路板的高度有严格要求的场景。


三、应用建议,散热的处理


说到这里,很多小伙伴内心深处不禁想问:如此紧凑的封装,芯片的散热是不是很难处理?其实不然,首先贴片封装直接通过焊接的方式焊在PCB铜箔上,其结到壳(Junction-Case)的热阻是与TO247类似的。而且相对于导热硅脂,焊接的导热效果更好。贴片封装的问题主要在如何将PCB铜箔上的热量有效的扩散出去。目前基于贴片封装的辅助散热技术已经非常成熟了。对于功率不大的小功率辅助电源,我们可以直接采用铜箔打过孔,并且表面敷铝的方式进行散热,见图8(a)。对于功率较大的应用场合,我们可以采用散热器辅助散热的方式,见图8(b)。总之,一个好的贴片封装的散热设计,其效果不输于传统的TO247封装。


退一步来说,如果损耗实在太大不好处理,我们还有1700V 450/650的产品可以选择。在封装上它们与1000mΩ的MOSFET完全兼容,并且具有更低的损耗和更低的热阻。


图8.D2PAK-7L的散热设计


最后说一下:基于该产品,英飞凌还有一个开发套件可供设计参考。可以点击文末“阅读原文”,即可打开链接下载开发套件的技术资料。



关于英飞凌

英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。


英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起,致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到,但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面,英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外,它们在保护数据通信,提高道路交通安全性,降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。

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