1 封装工艺流程
2 关键工序
2.1 真空共晶焊
共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段。其熔化温度称共晶温度。表1 为共晶焊接与导电银胶粘结工艺对比。
真空共晶主要是利用真空共晶炉有效控制炉内气氛，通过预热，排气，真空，加温，降温，进气等过程，设置出响应的温度，气体控制曲线，从而实现共晶的全过程。具有多个优点
1） 排除了大气中的氧气，有效控制了工作气氛，因此能够有效避免空洞和氧化物的产生。
2） 整个共晶过程可以通过参数曲线控制。
3） 一次完成多个产品的共晶焊接。
4） 多芯片共晶焊接，多芯片共晶时出现芯片材料不同，共晶焊料不同，因此共晶温度不同的情况。这时需要采用阶梯共晶的方法。一般先对温度高的共晶焊料共晶，再共晶温度低的。
共晶炉控制系统可以设定多条温度曲线，每条温度曲线可以设定多个温度阶段，在温度曲线运行过程中可增加充气，抽真空，排气等工艺步骤
2.2 吸气剂
吸气剂主要使用鋯钒铁吸气剂，鋯基吸气剂对众多气体分子都有良好的反应性，比如H2，CO，CO2,N2和Nx 等，反应后形成的氧化物，碳化物和氮化物基本上不再具备反应活性。
吸气剂吸附反应主要有两个过程，
1） 当气体碰撞固体表面时，通过范德华力作用被吸附在吸气剂表面
2） 表面吸附的气体分子迅速向吸气剂内部渗透，进入吸气剂金属及晶格间，这部分主要是靠化学吸收。
图1 吸气剂产品图
2.3平行缝焊（碰焊）（Seam sealing）
平行封焊（碰焊）属于电阻焊。在平行封焊时，电极在移动的同时转动（通过电极轮），在一定压力下电极之间断续通电，由于电极与盖板及盖板与焊框之间存在接触电阻，根据公式
焊接电流将在这2个接触电阻处产生焦耳热量，使其盖板与焊框之间局部形成熔融状态，凝固后形成焊点，从它的封焊轨迹看像一条缝，所以也称“缝焊”
封装形式有方形，圆形和阵列，对方形管壳而言，当管壳前进通过点击完成其两变的焊接后，工作台自动旋转90度，继续前进通过电极，再焊两条对边，这样就形成了管壳的整个封装，对于圆形管壳来说，只要工作台旋转180度，即可完成整个管壳的封装。
图2 平行封焊示意图
2.4真空排气
真空排气就是将金属管壳内部的气体进行抽真空排出，目的是为了使探测器的真空达到设计的需求。也是利用真空获得设备(真空泵)抽出目标探测器内的气体的过程。一般而言影响真空度的有两个方面因素
1）管壳内部气体与封装工艺产生的气体
管壳内部本身腔体的气体和封装烧结，焊接，绑线等产生的挥发气体。
2）材料表面释放的气体
壳体材料释放的气体，壳表面吸附的气体，晶格产生的泄漏。
前期通过抽真空可以使第一部分的气体抽走，管壳内部达到一定程度的真空度。对于材料泄漏和释放的气体，尤其材料内部和表面吸附的H2,需要通过烘培使氢气析出。
材料的放气只发生在真空下，放气速度缓慢，环境温度越高放气速率越大（但有最大值，超过最大值，温度效果下降）材料放气源源不绝，一直都有气体释放，只是随着时间的推移，放气越来越小。所以为了使器件内部真空良好，延长真空寿命，必须对探测器进行足够的时间和温度的抽真空排气。然后在排气过程中激活吸气剂，这时吸气剂开始工作，不断地吸附壳体内部释放的气体，使在排气完成后壳体能维持足够真空度。
