从硅往碳化硅器件过渡中变流器设计的十个常见问题－马国伟博士、郝欣博士

马国伟博士，英飞凌科技香港有限公司工业功率控制事业部，应用与系统总监。

马国伟在1988年及1995年毕业于香港理工大学，并分别获得电子工程学士及电力电子博士学位。马博士于2005年加入英飞凌科技，现任职于工业功率控制事业部应用与系统总监及首席专家。负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在亚太地区的新技术导入、应用开发及产品路线。马博士是IEEE及其电力电子分会的会员。在电力电子领域已发表三十多份论文及专利，也是IEEE应用电力电子会议(APEC)的论文评审委员。

郝欣博士，英飞凌科技（中国）有限公司 工业功率控制事业部，应用与系统方案拓展经理。

郝欣在2004年及2013年分别获得合肥工业大学电气工程学士及电力电子博士学位。郝博士于2015年加入英飞凌科技，现任职于工业功率控制事业部应用与系统方案拓展经理，负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在中国地区的新技术导入、应用开发及产品路线。