安森美半导体(OnSemi)正在推动高能效创新，它宣布了一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件产品，这些器件要求严格考虑功率密度、效率和可靠性。通过用新型SiC器件替换现有的硅开关技术，设计人员将在诸如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源单元(PSU)、电信和不间断电源等应用中实现显着更好的性能耗材。
安森美半导体的新型汽车AECQ101和工业级合格的650伏碳化硅MOSFET基于一种新型的宽带隙材料，与硅相比，该材料提供了出色的开关性能和改善的散热性能。这样可以提高系统级别的效率，增强功率密度，减少电磁干扰(EMI)以及减小系统尺寸和重量。
新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650伏击穿电压下实现同类最佳的品质因数Rsp(Rdson*area)。采用D2PAK7L To247封装的NVBG015N065SC1，NTBG015N065SC1，NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1具有最低的Rdson(12 mOhm)。这项技术还根据能量损失的优缺点进行优化，从而优化了汽车和工业应用中的性能。内部栅极电阻(Rg)为设计人员提供了更大的灵活性，而无需使用外部栅极电阻人为降低设备速度。
安森美半导体高级电源部门高级副总裁Asif Jakwani在评论新版本时说：“在现代电源应用中，例如用于电动汽车的车载充电器(OBC)以及其他应用，包括可再生能源、企业计算和电信效率，可靠性和功率密度一直是设计人员面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的硅开关技术显着提高了性能，从而使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。增强的性能降低了损耗，从而提高了效率，减少了热管理需求，并降低了EMI。使用这些新型SiC MOSFET的最终结果是更小，更轻，更高效和更可靠的电源解决方案。”
新器件全部采用表面贴装，并提供包括TO247和D2PAK在内的行业标准封装类型。
（新闻内容翻译采编自：semiconductor-digest，其观点不代表本公众号观点，分享仅为传播芯片行业资讯，从另一个角度看待本行业。）
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