台积电在美国举办的北美技术论坛2025上，正式公布了全新的14A 1.4nm级工艺，预计2028年上半年量产，从命名到技术直接对标Intel 14A，后者同样号称1.4nm级工艺。
台积电称，A14是全新升级的一代工艺节点(非过渡型)，对比N2 2nm级工艺，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，逻辑晶体管密度提升最多约23％，芯片密度提升最多约20％。
技术方面，台积电A14升级第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管，以及新的标准单元架构NanoFlex Pro，后者可以在设计芯片的时候，针对特定的应用或负载，精细调整晶体管配置，以达成更优的性能、功耗和面积(PPA)。
台积电A14同时还有新的IP、优化、EDA设计软件，这些和N2P 2nm、A16 1.6nm是不兼容的。
遗憾的是，台积电A14首发的时候没有Super Power Rail(SPR)背部供电网络(BSPDN)，这一点和自家的A16、Intel A18/A14截然不同，倒是和自己的N2、N2P一样。
不过，台积电承诺会在2029年推出A14工艺的升级版，加入背部供电，性能更好，但成本也会有所增加。
升级版A14暂时没有名字，可能会叫做A14P。
后期还有可能会演化出更高性能的A14X、更低成本的A14C。
哦对了，台积电的A16、N2P工艺预计2026年下半年量产。
Intel代工在去年2月份成立的时候，宣布了自己的A14 1.4nm级工艺，业界首次采用全新的High NA EUV光刻机，预计2026年左右推出，届时又是棋逢对手。
透露个小秘密，Intel代工将在下周举办新一届大会，公布最新进展，届时我将为大家带来现场一手报道，欢迎关注。
除了发展N2、A16、A14等采用GAAFET全环绕晶体管的全新工艺，台积电还在持续挖掘传统FinFET立体晶体管的极限，最后一代用它的N3系列工艺节点仍在不断演进。
台积电最新宣布，3nm级工艺的第三代N3P已经在2024年第四季度投入量产，第四代N3X则会在今年下半年投产。
N3P就是第二代N3E的升级版，面向需要高性能的客户端、数据中心应用，同时保持IP与设计兼容。
按照官方数据，N3P同等功耗下的性能可再提升约5％，而同等性能下的功耗可再降低5-10％，另外晶体管密度提升4％，尤其是SRAM缩放的提升较为明显。
苹果M3/M4、高通骁龙8至尊版、联发科天玑9400/9400+等都用的N3E工艺，不知道今年的升级换代会不会都上N3P？还是直奔N2？
N3X则是N3P的再次升级版，可继续将同等功耗性能提升5％，同等性能功耗降低7％。
更关键的是，N3X支持最高达1.2V的电压，从而将频率、性能挖掘到极致，但代价就是漏电率骤然增大最多250％，因此芯片设计要非常慎重。
根据路线图，台积电N3明年还会有N3A、N3C两个版本，但未做具体介绍，从定位看N3C是超低成本，定位很低。
PS：台积电N3其实还有个特殊版本N3B，但性能和成本都不算太好，大客户中只有Intel一家在用，就是Lunar Lake、Arrow Lake，妥妥的大冤种。
另有报道称，Intel 18A工艺制程试产顺利，并获得客户点赞。
据中国台湾ASIC企业透露，近期提前收到了去年投片于Intel 18A制程的芯片样本，目前正在进行测试阶段，初步验证结果良好。
此外，英伟达和博通也在积极进行制造测试。
Intel的晶圆代工正在快速追赶，Intel 18A比台积电A16更早引入BSPDN（背面供电）技术，CPU也将以70%的自产率为目标。
供应链消息指出，今年下半年推出的Panther Lake的重要Compute tile将采用内部Intel 18A制程，而Graphic tile及SoC tile则会由台积电进行。
明年的Nova Lake则会扩大对外委托，部分Compute tile交由台积电2纳米制造，但仍有部分型号采用内部制程。
由于台积电的A16制程预计要到明年下半年才推出，因此Intel的领先，加上价格和地缘政治因素，使其成为芯片巨头们的新选择。
在此前举办的Intel Vision 2025大会上，Intel正式宣布其Intel 18A工艺制程技术已进入风险生产阶段。
Intel代工服务副总裁 Kevin O'Buckley在Intel即将全面完成其“四年五个节点（5N4Y）” 计划之际宣布了这一消息。
该计划最初由前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）所规划，是该公司预计从竞争对手台积电手中夺回半导体王位的一部分。
Kevin O'Buckley表示，风险试产虽然听起来很可怕，但实际上是一个产业的标准术语。 风险试产的重要性在于我们已经将技术发展到了可以量产的程度。
他还强调，Intel已经生产了大量Intel 18A测试芯片。 相较之下，风险试产包括将完整的芯片设计晶圆投少量生产，再通过调整其制造流程，并在实际生产运作中验证节点和制程设计套件（PDK）。据悉，Intel将在2025年下半年扩大Intel 18A的产量。
31日举办的Intel Vision开幕活动中，Intel新任CEO陈立武宣布，18A工艺技术仍按计划进行，接近第一批外部流片，预计今年下半年首发该工艺的Panther Lake处理器将进行大批量生产。
据悉，Intel的下一代面向移动端笔记本的Panther Lake将于2025年下半年发布（预计命名为酷睿Ultra 300系列）。
公开资料显示，Intel “四年五个节点” 计划是该公司在2021年7月提出的半导体制造战略，目的是通过四年时间（2021-2025 年）推出五个制程节点，重塑其在先进制程领域的领先地位。
2010年代后期，Intel在10nm/7nm节点遭遇多次延迟，而台积电、三星通过EUV技术快速推进3nm/2nm制程，导致Intel在移动端和服务器市场份额被蚕食。
2021年帕特・基辛格接任CEO后，提出 “集成设备制造商（IDM）2.0” 战略，强调自主制造能力与代工服务并重。“四年五个节点” 计划成为IDM 2.0的核心载体，目标是到2025年通过五个节点实现制程反超。
为更准确反映性能与能效提升，Intel放弃传统的nm命名法，改用Intel 7/4/3/20A/18A的新命名体系。20A工艺等效2nm级，18A则等效于1.8nm级。
2024年9月，Intel宣布，18A工艺进展顺利且超过预期，Arrow Lake高性能处理器原定采用的20A工艺已经取消，改为外部代工制造。
18A工艺在20A的基础上打造，将成为首款同时采用PowerVia背面供电和RibbonFET环绕式栅极（GAA）晶体管技术的芯片。
其中，PowerVia提供优化的电源布线，可提高性能和晶体管密度，而RibbonFET能够精确控制晶体管沟道中的电流，在减少功耗方面发挥着重要作用，同时还能实现芯片组件的进一步小型化。
按照Intel的愿景，18A将是其反超台积电、重夺半导体工艺世界第一的关键节点。
