烁科晶体总经理李斌、国纳智造董事长张希军、广纳四维董事长李晓军共同签约
碳化硅的价值链贯穿此次战略合作的全流程。烁科晶体的高质量碳化硅原材料供应为碳化硅刻蚀光波导的量产提供了坚实的物质基础；广纳四维成熟的衍射光波导光学设计、刻蚀工艺技术及量产制造经验，确保了碳化硅刻蚀光波导产品契合市场需求，引领行业发展趋势；同时，基于国纳智造打造的纳米技术多领域产业创新平台，则为碳化硅刻蚀光波导的量产制造，提供全方位的纳米技术支持和产业协同服务。
三方的紧密合作分工明确、优势互补
本次签约合作不仅是技术的融合，更是AR产业链条的深度重构。广纳四维、烁科晶体和国纳智造产业链之间的深度合作与协同，将加速技术转化，有望令碳化硅AR眼镜在轻量化、高清显示与成本控制等多方面实现质的飞跃，加速开启消费级AR的“千元时代”。
广纳四维依托自主研发的波导设计软件以及DUV光刻+刻蚀工艺，主导碳化硅刻蚀光波导设计与工艺优化，其超衍射极限结构设计可以精确制备复杂多元纳米光栅结构，使得碳化硅刻蚀光波导实现单片全彩、极致轻薄以及0彩虹纹效应，为用户带来更好优质的视觉体验。
山西烁科晶体作为高品质碳化硅基底等原材料的供应商，在国内率先实现碳化硅材料产业链供应链自主可控，成功突破4、6、8英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底技术攻关。其12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底将发挥光学性能优势，为碳化硅刻蚀光波导的量产制造提供坚实的物质基础。
国纳智造作为国家级产业技术创新平台，凭借其在纳米技术领域深厚的研发积累与产业协同优势，为碳化硅刻蚀光波导的研发以及产业资源的整合提供关键支持，进行多要素赋能。通过突破纳米级精密加工与超表面处理等工艺瓶颈，并结合材料性能优化创新，系统性解决碳化硅刻蚀光波导制备的技术难点。同时，依托国家级平台优势，推动光波导器件产业链协同创新与价值升级。
——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破
4月24日 湖北 武汉
论坛背景
半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电力电子、光电子、微波电子等领域大有可为。
本论坛聚焦材料协同创新与跨领域应用，深入探讨技术瓶颈，全面剖析技术趋势，寻找氮化镓及第四代半导体发展的方案。推动金刚石、GaN与氧化镓从实验室竞争走向场景化互补，加速“双碳”目标与AI算力革命的落地。
扫码报名免费参会
论坛信息
联合主办：CSE组委会、DT新材料
大会主题：激活未来
论坛时间：2025年4月24日
论坛地点：武汉光谷科技会展中心
会议议题
金刚石、氮化镓、氧化镓晶体生长与加工
金刚石、氮化镓、氧化镓薄膜及其外延技术
金刚石、氮化镓、氧化镓功率器件、封装及测试
金刚石、氮化镓、氧化镓相关装备
金刚石、氮化镓、氧化镓产业与政策
2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会现场
DT新材料重磅亮相第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE），与CSE组委会联合打造宽禁带半导体材料分论坛，深度探讨宽禁带半导体前沿技术与产业化路径。期待与您携手迎接化合物半导体行业的全新机遇与挑战，让我们相约2025年4月23-25日·武汉光谷科技会展中心，共同见证盛会的精彩绽放！
展会期间，我们的媒体展位号是B221，诚邀业界同仁莅临交流，共话产业未来！
与此同时，DT新材料诚挚向您发出邀请——Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会
时间：2025年12月9-11日 | 地点：上海新国际博览中心
