三星电子已成立一个工作组（TF），负责量产第七代 DRAM（1D），即 10 纳米（1 纳米 = 十亿分之一米）的下一代存储器。有评估认为，该公司已开始恢复其“第一”地位。根据时间表，该公司将采取措施大规模生产尖端 DRAM，这是下一代高带宽存储器（HBM）成功的基础。由于三星电子今年第一季度将全球 DRAM 市场份额第一的位置拱手让给了竞争对手，预计该公司将全力以赴，不错过下一代内存市场的机会。
据业界消息人士4月23日透露，三星电子半导体（DS）部门的内存业务部门正在新组建一个负责工艺架构（PA）阶段的TF，该部门正处于10nm第7代DRAM（1D）量产的最后阶段，并且正在内部招募人员。目前，半导体研究院内部设有DRAM技术开发（TD）组织，负责D1d开发的团队已在运作。
据称，此次TF是为提升产品完美度而做出的一次全力投入。
三星电子计划通过TF加速下一代DRAM的量产。高密度、高性能 DRAM 是“第六代 HBM4”量产的必备产品，这将彻底改变 HBM 市场格局。据称，D1d 是一种比 D1c 更精细的工艺，一些内存公司表示他们已经成功开发了 D1c。 10nm级DRAM工艺正在按照以下顺序开发：1x（第1代）-1y（第2代）-1z（第3代）-1a（第4代）-1b（第5代）-1c（第6代）。随着进入下一代内存工艺，半导体电路线宽变得更窄，从而提高了性能和能源效率，1D DRAM是1C之后的下一代产品。
三星电子还通过其半导体研究中心运营着一个个位数、精度超过10纳米的“超精细DRAM工艺工作组”。这是重新获得最近失去的“超级差距”竞争力的意愿。
一位业内人士表示，“在可能落后于竞争对手的危机中，三星电子决心不在下一代产品上犯错误”，并补充道，“由于确保良率（优质产品率）是精细工艺的关键，因此他们正在集中人力大规模生产高质量产品。”
三星电子计划通过成立第七代DRAM量产工作组（TF）等多种举措扭转近期被竞争对手压制的局面。三星电子于2022年末开发出全球首款第五代DRAM（D1b），并于2023年5月开始量产，但未能确保良品率，且随着下一代产品开发延迟而失去竞争力。
在第五代DRAM领域落后三星电子一步的SK海力士和美光公司都在同一年成功实现了D1b的商业化。特别是SK海力士去年完成了第六代DRAM（D1c）的开发。据报道，当年8月还对D1d进行了工艺可靠性评估（PRA）。考虑到半导体产品的首次 PRA 通常在设计后立即进行，业界观察 SK 海力士目前的 D1d 开发可能会略微领先于三星电子。另一家竞争对手美光公司上个月也向潜在客户运送了基于“1γ”（伽马）的 DDR5 样品。 1γ对应于D1c。
另一方面，三星电子也无法避开经典。业界分析，由于开发人员待遇不满情绪持续数年未得到解决，内部招聘（内部调动）和跳槽到竞争对手的情况不断发生，相当一部分原本可以传授经验的人员选择离职，最终导致产量问题。据报道，目前正在开发的第6代DRAM的良率仅为个位数。一位业内人士表示，“封闭的组织文化和引入难以衡量的目标管理（MBO）系统也是问题所在，很难集中精力进行开发和分析，还需要缩短沟通时间”。
三星电子决定量产第七代DRAM TF，也可以解读为一种“豪赌”式的克服困难的意志。有人说，TF 配置可以被视为 D1d 开发的“积极信号”。至此，三星电子已进入工艺架构（PA）阶段，为下一代DRAM开发达到一定技术发展水平后进行量产做准备。业界观点认为，这种TF组成可能是技术发展到一定程度后做出的决定。
然而令人遗憾的是，第六代和第七代DRAM正在同时开发中。这是因为，SK海力士去年成功开发出第六代DRAM，可以全身心投入第七代DRAM，因此不得不加大对第七代DRAM的投资。
SK海力士已确保第六代DRAM的量产，并计划从今年下半年开始将其应用于通用DRAM。该公司还宣布，今年的投资将集中在高带宽内存（HBM）和基础设施上。对此，SK海力士在今年1月的业绩说明会上强调，“计划通过预测未来（HBM）的供应情况来投资提升产能，未来将把1c纳米工艺应用于HBM4E，通过及时开发和供应来保持市场领先地位”。
业界正在关注，在第六代DRAM领域落后于SK海力士的三星电子能否通过成功开发第七代DRAM来扭转局面。目前还没有任何公司开发或量产第七代DRAM。三星电子计划于 2026 年开始量产 10nm 级 D1d，并于 2027 年开始量产 10nm 以下第一代 DRAM（D0a）。
