4月17日,JEDEC固态技术协会已经正式发布了HBM4内存的新标准。新标准的名称为JESD270-4,旨在提升HBM(高带宽内存)技术的性能和应用范围。
据悉,HBM4内存新标准在多个方面进行了显著改进,包括更高的数据传输速率、更大的堆栈容量和更低的功耗。
首先,HBM4采用2048位接口,传输速率提升至8 Gb/s,总带宽达到2 TB/s,较HBM3(1 TB/s)实现翻倍增长,显著提升了AI训练、高性能计算等场景的数据吞吐能力。这一突破主要得益于接口宽度的倍增和信号速率的优化。
其次,HBM4还支持4层至18层的TSV(硅通孔)堆叠,芯片密度达到24Gb或32Gb,单堆栈的最大容量可达64GB,这使得其在高性能计算(HPC)、生成式AI和高端服务器等领域具有更大的应用潜力。
另外,独立通道数从HBM3的16个增至32个,提升了多任务并行处理能力。电压管理进一步细化:VDDQ支持0.7–0.9V,VDDC可选1.0V或1.05V,降低功耗的同时提高能效比。
新标准还引入 DRFM(定向刷新管理)技术,有效缓解Row-Hammer攻击,并通过优化刷新周期提升可靠性(RAS)。HBM4保持与HBM3控制器的向后兼容性,允许混合使用两种内存类型。
HBM4与HBM3的关键差异对比
JEDEC HBM小组委员会主席、英伟达技术营销总监Barry Wagner表示:“HPC平台正在迅速发展,需要在内存带宽和容量方面进行创新。技术行业领导者合作开发的HBM4旨在推动AI和其他加速应用的高效、高性能计算的飞跃发展。”
HBM4新标准的发布标志着高带宽内存技术进入新纪元,其2 TB/s带宽、64GB堆栈容量和能效优化将重塑AI与超算硬件生态。随着SK海力士、三星等厂商的量产推进,以及生成式AI需求的爆发,HBM4有望在2025–2026年成为高性能计算的核心标配,同时推动半导体产业链的协同创新。
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