插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。
近期，碳化硅功率半导体领域进展不断，三菱电机、华润微电子、方正微电子、至信微电子、派恩杰半导体、纳微半导体纷纷推出创新产品。这些新品凭借高效、节能、可靠的性能优势，正加速推动各应用领域的技术升级与能效提升。4月15日，三菱电机集团宣布，将于4月22日开始供应两款新型空调及家电用SLIMDIP系列功率半导体模块样品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）。作为该企业SLIMDIP系列中首款采用SiC技术的紧凑型端子优化模块，这两款产品在小型至大型电器应用中均能实现优异的输出性能与功耗降低，显著提升能效表现。此外，三菱电机新开发的SiC MOSFET芯片已集成至两款新型SLIMDIP封装中。与现行硅基逆导型绝缘栅双极晶体管（RC-IGBT）SLIMDIP模块相比，新型SiC模块可为大容量家电提供更高的输出功率。此外，与硅基模块相比，全SiC SLIMDIP的功率损耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率损耗降低了47%，可使电器更节能。通过这两款新型模块与现有硅基RC-IGBT SLIMDIP模块的组合，SLIMDIP系列现可为空调等家电的逆变器电路板提供多种方案选择。值得关注的是，三菱电机已冠名赞助““电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”，届时将公布更多SiC 功率半导体解决方案。本次会议将于5月15日举办，欢迎扫码报名参会。4月19日，华润微电子功率器件事业群推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。该系列模块基于成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，兼具SiC器件的低导通损耗、耐高温特性以及DCM、HPD模块的高功率密度、高系统效率等优异性能，在汽车主驱系统应用中展现出了强大的竞争力。此外，此次发布的模块产品性能对标国际主流产品，采用6管/8管并联，通过对Vth的严格分档提高芯片一致性。封装方面，结合自主设计的Si3N4 AMB、银烧结、DTS工艺，均流特性好，寄生电感小；采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃。
4月16日，方正微电子副总裁彭建华对外正式发布了第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品，性能达到国际头部领先水平。据了解，方正微电子第二代车规主驱SiC MOS在第一代的高可靠基础上，进一步提升性能，缩小Die size，提升FOM值，实现了在行业主流芯片面积需求条件下性能提升，可靠性3倍于行业通用认证要求，并具有低导通电阻（13mΩ）、高击穿电压（>1500V）、高阈值电压（3V）、高可靠性（＞3000小时）等特点。如今，方正微电子的车规主驱第一代SiC MOS已大规模上车，预计2025年将实现上乘用车主驱几十万辆车的新跨越。此外，方正微电子车规/工规SiC全系产品聚焦新能源车、光储充、UPS、工业电源、AI服务器以及新兴应用机器人、eVTOL、电动船舶等应用领域，已大规模出货，服务行业客户。4月21日，至信微电子发布了 3300V 8Ω SiC MOSFET系列产品，具有以下特点：一是性能优势明显：正向电阻温漂特性出色、电磁优化设计、输入电阻更小、门极电荷更低、器件电容低（输出、反向传输电容行业领先）、耐浪涌和短路能力超强、体二极管性能优异（低正向压降、低反向恢复电荷）、工作温度可达 175℃且保持常闭稳定。二是应用价值高：与商用驱动器兼容，全温域低导通损耗，振荡大幅降低；开关速度与效率提升，且开关尖峰少、损耗低；功率密度和系统效率更高，易于并联且杜绝热失控风险，系统可靠性卓越。此外，该系列器件可用于辅助电源、1500V 光伏逆变系统、工业电机（交流伺服）、通用逆变器及特种电源领域，应用广泛。4月16日，派恩杰半导体推出了SiC HPD模块系列产品-PAAC12450CM，其采用了具有较小的RDSON温漂特性派恩杰芯片，在其6并联的布局设计，与传统的8并联竞品方案实现了相近的功率密度，带来更高效、更可靠的逆变器解决方案。派恩杰PAAC12450CM(6并联)与竞品(8并联)的损耗曲线对比具体来看，派恩杰半导体通过独特芯片设计，使得芯片的导通电阻受温度影响较小，可以有效抑制实际高温工况下的功率输出衰减，这意味着其可以在更严苛的工况条件下运行，可靠性更高。此外，PAAC12450CM 采用了高度优化的HPD布局设计，具有更优均流效果和更低寄生电感。值得关注的是，派恩杰半导体即将推出下一代SiC HPD模块，在同样的6并联架构下，电流能力将从450A提升至600A。4月17日，纳微半导体宣布推出最新SiCPAK™功率模块，目标市场包括电动汽车直流快充（DCFC）、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器与功率优化器、储能系统（ESS）、工业焊接及感应加热。据了解，该模块采用纳微独家的“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET技术，可以提供业界领先的温域性能，还能将损耗降低20%，同时运行的温度更低并具有更卓越的鲁棒性，从而为系统长期可靠性奠定基础。此外，该模块采用先进环氧树脂灌封技术，通过隔绝湿气入侵以承受高湿度恶劣环境，并通过降低功率与温度变化引起的性能衰减以稳定实现更高的热耐性。本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
3家SiC企业透露进展：芯片工厂投产、8英寸出货量增加清纯半导体：平面栅SiC芯片Rsp降至2.1mΩ·cm²
