3家SiC企业透露进展：芯片工厂投产、8英寸出货量增加

插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，三菱电机、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、元山电子、大族半导体、香港大学、长飞先进、宏微科技、利普思、国基南方、芯长征、合盛新材料等将出席本次会议，点击文章底部“阅读原文”即可报名参会。

近日，“行家说三代半”发现，士兰微、扬杰科技、晶盛机电皆公布了2024年财务报告，在碳化硅业务方面透露了诸多信息：

4月19日，士兰微公布了2024年年度报告，其中透露：报告期内，士兰微实现营业总收入112.21亿元，同比增长20.14%；归母净利润2.2亿元，比 2023 年增加2.56亿元。

碳化硅业务方面，士兰微主要透露以下进展：

● 2024年应用于汽车、光伏的 IGBT 和 SiC（模块、器件）的营业收入达到22.61亿元，较去年同期增长 60%以上。

● 2024 年基于士兰微自主研发的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家出货量累计达 5 万只，客户端反映良好，随着 6 吋 SiC 芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。

● 士兰微已完成第Ⅳ代平面栅 SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC 器件的水平。第Ⅳ代 SiC 芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC 芯片的功率模块2025年将会上量。

● 士兰明镓已形成月产 9,000 片 6 吋 SiC MOS 芯片的生产能力。为满足新一代SiC 芯片上量的要求，士兰微已对 6 吋线进行技术改造和效率提升。预计 2025 年 SiC 芯片出货量将显著增加。

● 2024年年底，士兰集宏 8 吋 SiC mini line 已实现通线，士兰微 II 代芯片已在8 吋mini line 上试流片成功（其参数与 6 吋匹配，良品率高于 6 吋）。2025 年 2 月底，士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，目前正在进行净化装修，预计将在 2025 年 4 季度实现全面通线并试生产。

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● 扬杰科技投资的 SiC 芯片工厂在报告期内完成厂房装修、设备搬入和产品通线，采用 IDM 技术实现了650V/1200V 的 SiC SBD 产品从第二代升级到第四代，实现 650V/1200V 的 SiC MOS 产品从第二代升级到第三代，其中1200V SiC MOS 平台的比导通电阻（RSP）已做到 3.33 mΩ·cm²以下。

● 报告期内，扬杰科技在碳化硅尤其是SiC MOS 市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于 AI 服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。

● 此外，扬杰科技计划于 2025 年 Q4 开展全国产主驱碳化硅模块的工艺、可靠性验证。

4月19日，浙江晶盛机电股份有限公司发布2024年年度报告。报告期内，公司实现营业收入175.77亿元，同比下降2.26%，归母净利润为25.1亿元，同比下降 44.93%。截至 2024 年 12 月 31 日，公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超 33 亿元（含税）。

据了解，在碳化硅领域，晶盛机电主要布局设备端及材料端，其最新进展有：

● 晶盛机电开发了碳化硅长晶及加工设备，并在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，其碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业。

● 晶盛机电快速推进 8 英寸碳化硅衬底产能爬坡，同时积极拓展国内外客户，市场拓展成果显著，产能和出货量快速增加。

● 晶盛机电已掌握 8 英寸光学级碳化硅晶体的稳定工艺，并积极 推进技术和工艺创新，力求早日实现 12 英寸光学级碳化硅衬底材料产业化。