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（一）芯片三维互连技术
TSV垂直互连工艺的主要步骤以及细小直径、高深宽比TSV加工的工艺难点；
TGV垂直互连技术的优势、劣势，主要工艺流程以及工艺难点；
其它垂直互连技术，如通模通孔（TMV）、封装通孔（TPV）的介绍；
RDL水平互连工艺、工艺流程的介绍以及高密度RDL的主要问题；
（二）基于TSV以及RDL的异质集成方案
基于TSV及RDL互连的晶圆级封装，文中主要介绍了基于硅基的三维异质集成技术；
2.5D TSV转接板异质集成，文中介绍了基于TSV及微凸点互连技术的典型的2.5D转接板异质集成结构。
基于TSV和微凸点的三维异质集成，文中展示了基于TSV和微凸点的芯片面对面堆叠技术。
基于无凸点混合键合的三维异质集成，文中介绍了Cu-Cu直接键合以及Cu-绝缘层混合键合的工艺。
（三）基于玻璃基板的异质集成方案
基于TGV及RDL的异质集成，文中论述了TGV及玻璃基板的优劣势，文中还展示了其在天线上的探索案例。
埋入玻璃式扇出型异质集成，文中展示了埋入玻璃式扇出型异质集成的一些最新研究成果。
原文如下：
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